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IMCQ120R078M2H

现货,推荐

CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。

Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
2026-04-14 3次

产品详情


  • 出色的热性能
  • 提高能源效率
  • 更高的功率密度
  • 更紧凑、更简单的设计
  • 降低 TCO 成本或 BOM 成本

特性


  • VDSS = 1200 V @Tvj = 25°C
  • IDDC = 22 A @TC = 100°C
  • RDS(on) = 78.1 mΩ @VGS = 18 V, Tvj = 25°C
  • 极低的开关损耗
  • 过载运行最高可达 Tvj = 200°C
  • 短路耐受时间 2 µs
  • 基准栅极阈值电压
  • 具有抗寄生开启能力
  • 坚固的体二极管,适用于硬换向
  • .XT互连技术

应用


电动汽车充电, Solid-state circuit breaker (SSCB), 低压驱动, 光伏, 不间断电源 (UPS)

参数


类型

描述

Ciss

880 pF

Coss

28 pF

最高 ID (@25°C)

31 A

最高 Ptot (@ TA=25°C)

176 W

Qgd

4.5 nC

QG

23.2 nC

RDS (on) (@ Tj = 25°C)

78.1 mΩ

最高 RthJA

67 K/W

最高 RthJC

0.85 K/W

最高 Tj

200 °C

最高 VDS

1200 V

安装

SMD

封装

PG-HDSOP-22

工作温度 范围

-55 °C 至 175 °C

引脚数量

22 Pins

技术

CoolSiC™ G2

极性

N

认证标准

Industrial

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