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MDD辰达半导体功率TVS新升级:封装不变,功率倍增
2026-04-16 34次

一、升级背景


随着芯片工艺迈入纳米级,器件栅氧层厚度降低,其对电过应力(EOS)的耐受能力显著下降。瞬态电压抑制二极管(TVS)作为电路保护核心器件,其性能直接决定整个电子系统的运行可靠性。与此同时,快充标准持续升级,通用PD快充最高电压已提升至48V,原有20V规格TVS无法满足适配需求,适配更高电压的传统TVS在浪涌测试中易发生损坏。


 

 


二、核心痛点


TVS瞬时功率计算公式为PPP=IPP×VC(其中IPP为通流量,VC为钳位电压)。当不动作电压VRWM提升时,钳位电压VC同步升高,在相同功率条件下,通流量IPP会随之减小,导致浪涌测试无法通过。传统TVS的功率与封装严格绑定,若需提升功率,必须更换更大规格封装,进而需对PCB进行修改,不仅增加时间成本,部分小型PCB因空间限制,无法适配更大封装的TVS。


MDD的TVS除了传统功率的TVS,还有在同样封装下,功率更高的TVS,可以提高EOS防护能力。



三、升级方案:封装不变,功率提升


SOD-123FL封装TVS升级后,参数对比:


关键参数

传统SMF系列

升级的SMF4L系列

功率

200W

400W

封装

SOD-123FL

SOD-123FL

VRWM

一样

一样

VC

一样

一样

IPP

IPP

IPP*2



SMA封装TVS升级后,参数对比:


关键参数

传统SMAJ系列

升级的SMA6J系列

功率

400W

600W

封装

SMA

SMA

VRWM

一样

一样

VC

一样

一样

IPP

IPP

IPP*1.5



SMB封装TVS升级后,参数对比:


关键参数

传统SMBJ系列

升级的1.0SMBJ系列

功率

600W

1000W

封装

SMB

SMB

VRWM

一样

一样

VC

一样

一样

IPP

IPP

IPP*1.7


四、核心工艺优势


MDD的功率TVS,不管是传统功率的,还是升级版本的,生产工艺均是采用了Clip组焊工艺,比传统的两片式焊接工艺更先进。该工艺减少了焊接时锡膏的空洞率,提高IPP及可靠性。


五、推荐型号


在不改变封装的前提下,MDD通过技术升级,推出新一代大功率TVS,防护能力大幅提高。


TYPE NO.

Polarity

PPP(W)

VRWM(V)

VC(V)

IPP(A)

Package

SMF4L5.0A

Uni

400

5

9.2

40.1

SOD-123FL

SMF4L15CA

Bi

400

15

24.4

16.4

SOD-123FL

SMF4L24CA

Bi

400

24

38.9

10.3

SOD-123FL

SMF4L28CA

Bi

400

28

45.4

8.8

SOD-123FL

SMF4L36CA

Bi

400

36

58.9

6.9

SOD-123FL

SMF4L48CA

Bi

400

48

77.4

5.2

SOD-123FL

SMA6J5.0CA

Bi

600

5

9.2

65.22

SMA

SMA6J15CA

Bi

600

15

24.4

24.59

SMA

SMA6J24CA

Bi

600

24

38.9

15.42

SMA

SMA6J30CA

Bi

600

30

48.4

12.4

SMA

SMA6J36CA

Bi

600

36

58.1

10.33

SMA

SMA6J58CA

Bi

600

58

93.6

6.41

SMA

1.0SMBJ5.0CA

Bi

1000

5

9.2

108.7

SMB

1.0SMBJ15CA

Bi

1000

15

24.4

41

SMB

1.0SMBJ24CA

Bi

1000

24

38.9

25.8

SMB

1.0SMBJ28CA

Bi

1000

28

45.4

22.1

SMB

1.0SMBJ36CA

Bi

1000

36

58.1

17.3

SMB

1.0SMBJ48CA

Bi

1000

48

77.4

13

SMB


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