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MDDG03R01G低导通MOS 跨越新领域,提升同步整流、DC-DC转换效率
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
2025-06-09
150次
MDDG03R04Q,低内阻大电流,服务器和新能源的好帮手
在服务器电源、工业驱动及新能源领域,MOSFET的性能直接决定系统的能效与可靠性。为满足高密度、高效率需求,MDD半导体推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N沟道增强型MOS)凭借3.5mΩ低导通电阻与屏蔽栅优化技术,为同步整流、电机驱动等场景提供高效解决方案。
2025-05-19
106次
新品上市|MDD82052那么小又那么大,原来是这颗MOS
MDD8205是一款20V双N沟道MOS,采用SOT-23-6L封装,在20V耐压下实现极低导通电阻(RDS(on))与超快开关速度。其专为严苛负载场景优化,兼顾高电流承载与微型封装,成为高效率、高可靠性设计的理想选择。
2025-04-11
152次
MDD辰达推出大电流低内阻MOS,助力电机驱动管理系统新突破
MDD100N03D的最大亮点在于其极低的导通电阻(RDS(on))。在VGS = 10 V、ID = 30 A的条件下,RDS(on)仅为3.6mΩ,这意味着在电流通过时,能量损耗被降至最低,尤其在高频开关场景中(如直流/直流转换),可显著减少发热,提升系统整体效率。
2025-03-12
180次
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