h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>辰达半导体>从供电口到高速差分信号:MDD辰达半导体一文讲透 ESD防护器件选型
从供电口到高速差分信号:MDD辰达半导体一文讲透 ESD防护器件选型
2026-07-24 3次

随着便携式数码、智能穿戴、小型工业传感模块不断向微型集成、高速信号传输、高可靠性演进,设备PCB板布局空间持续压缩,高速接口芯片耐压能力薄弱,静电浪涌防护需求激增,这也对ESD防护器件的钳位性能、结电容、续流控制与场景适配能力提出了细分且严苛的选型要求。

 

 

 

一、回扫型与传统ESD器件区别

 

器件区分依据

 

区分两类ESD器件的核心依据为IV特性曲线,二者电学特性差异显著。

 

 

 

回扫型ESD器件特性

 

回扫型ESD器件又称负阻器件,电学特性特殊:当器件导通、电流达到一定数值后,两端工作电压会反向降低,呈现明显的负阻特性。

 

传统ESD器件特性

 

传统ESD器件无负阻特性,工作电压与工作电流呈正相关关系,电流越大,器件两端电压越高。

 

二、回扫型ESD的核心优势

 

低钳位电压设计目的及防护原理

 

设计采用回扫工艺的核心目的,是降低器件的钳位电压(VC)。钳位电压是ESD防护的核心指标,作用是将电路中几KV甚至二十几KV的高压静电、浪涌杂波,压制到后端芯片可承受的电压范围(十几V至几十V),以此保护芯片不被高压击穿。

 

以ME5V0U1BAAS这颗DFN0603封装的5V 系列回扫 ESD为例,专为高速差分信号线路设计:

 

小型化封装,占用 PCB 面积小,适配便携设备、高密度板卡布局;

l 5V不动作电压,兼容各种信号;

静电防护等级高,空气放电 ±20KV、接触放电 ±15KV

超低VC 4V,浪涌冲击下对精密高速芯片保护能力极强;

低电容,IO-GND typ=0.3,应用于差分线,IO-IO之间小于0.2pF

 

两类器件实测对比说明

 

相较于传统ESD器件,回扫型ESD器件的钳位电压(VC)大幅降低,防护效果更优异。通过8/20us波形对两类器件进行实测对比,数据差异明显:

 

 

 

1、传统ESD器件:峰值电流4.12A时,钳位电压VC20.6V

 

2、回扫型ESD器件:峰值电流6.8A时,稳态钳位平台电压仅3.04V(器件短时电压尖峰持续时间极短,防护效果以稳态平台电压为准)。

 

实测结果充分证明,回扫型ESD器件的钳位能力远优于传统ESD器件。

 

三、回扫型ESD器件的固有弊端:续流失效问题

 

回扫型ESD器件防护性能优异,但无法完全取代传统ESD器件,核心原因是存在关不断的续流问题。

 

续流问题产生原理

 

IV曲线特性来看,回扫型ESD器件与TSSGDT器件特性高度相似,本质属于开关型器件,导通后无法自主关断。器件导通后,必须满足以下任一条件才能恢复关断状态:一是器件两端电压低于维持电压VHOLD;二是流过器件的电流低于维持电流IHOLD

 

续流带来的应用风险

 

目前主流深回扫ESD器件的维持电压VHOLD最低可至2V左右,而常规电路芯片供电电压多为3.3V5V,部分电源口电压更高。若在供电端口使用回扫型ESD器件,静电触发器件导通后,供电电源会持续为器件提供电流,导致器件持续导通、无法关断,最终出现短路失效的问题。

 

TSS器件的差异说明

 

虽然回扫型ESDTSS器件均存在续流问题,但二者工艺、参数精度差异极大。回扫型ESD器件对触发电压Vtr、维持电流IHold、维持电压VHold的参数控制更精准,内部制作工艺也与TSS器件完全不同。

 

四、回扫型ESD器件选型及应用场景

 

器件选型总体原则

 

基于回扫型ESD器件的优缺点,其应用场景有明确边界,不可通用,需结合电路端口类型选型。

 

慎用场景:电路供电口

 

常规供电端口不推荐使用回扫型ESD器件,优先选用传统ESDTVS器件,可彻底规避续流导致的短路失效风险。

 

仅特殊工况可酌情使用:需确认电路供电电压、工作电流分别小于器件的维持电压、维持电流,且预留充足设计余量。

 

优选场景:高速信号口

 

高速信号端口是回扫型ESD器件的核心应用场景。高速信号端口的IC芯片,随信号传输速率提升,内部走线线宽更小,芯片耐压、抗静电能力更弱,对静电防护等级要求更高。

 

同时回扫型ESD器件结电容极低,不会造成高速信号衰减、失真,搭配其超低钳位电压的优势,可最大程度保护高速精密IC。选型时需综合考量成本、后端芯片耐压极限,匹配适配的器件规格。

 

五、选型推荐

 

总而言之,供电口优选传统的ESD或TVS,高速信号口,可以选VC更低的回扫型ESD,但是也要综合成本及后端IC的耐受程度评估,选择合适的ESD器件。

以下是MDD常用的一些回扫型器件。

 

 

 

 

  • 从供电口到高速差分信号:MDD辰达半导体一文讲透 ESD防护器件选型
  • 随着便携式数码、智能穿戴、小型工业传感模块不断向微型集成、高速信号传输、高可靠性演进,设备PCB板布局空间持续压缩,高速接口芯片耐压能力薄弱,静电浪涌防护需求激增,这也对ESD防护器件的钳位性能、结电容、续流控制与场景适配能力提出了细分且严苛的选型要求。
    2026-07-24 3次
  • MDD辰达半导体推出集成ESD防护小型化MOS,赋能智能穿戴与精密接口开关
  • MDD 推出MDD3134KM、MDD3139KM、2N7002KM三款同封装 MOSFET 产品。统一采用SOT-723 超小型封装,沟槽工艺,分别覆盖 60V 高压信号开关、20V 低压功率开关、互补推挽电路等主流场景,成为智能穿戴、器件接口开关、电池保护、小型电机驱动等领域的高性价比国产优选方案。
    2026-06-17 262次
  • MDD辰达半导体功率TVS新升级:封装不变,功率倍增
  • 随着芯片工艺迈入纳米级,器件栅氧层厚度降低,其对电过应力(EOS)的耐受能力显著下降。瞬态电压抑制二极管(TVS)作为电路保护核心器件,其性能直接决定整个电子系统的运行可靠性。与此同时,快充标准持续升级,通用PD快充最高电压已提升至48V,原有20V规格TVS无法满足适配需求,适配更高电压的传统TVS在浪涌测试中易发生损坏。
    2026-04-16 126次
  • MDD辰达半导体回扫型ESD,为HDMI接口提供安全防护
  • MDD的保护器件有以下功能:MDD的防护器件能有效防护后端IC,有效应对静电和热插拔等异常干扰。MDD既提供了传统的集成多IO ESD和单独IO的分立ESD,也有专门的回扫型ESD器件,保护高端而敏感的低线宽、高集成的IC。MDD作为器件原厂,已通过ISO/TS16949体系认证,产品管控严格,保证产品的一致性,稳定性。
    2026-03-16 191次
  • 散热设计不良会导致 MOSFET 过热失效?MDD辰达半导体一文讲透
  • 在电源、BMS、车载电子、电机驱动等应用中,MDD辰达半导体的 MOSFET 常年工作在大电流、高频、高环境温度条件下。很多现场失效案例中,MOSFET 本身参数选型并不低,但仍然频繁烧毁,最终溯源发现,根本原因并非器件质量,而是散热设计不良。
    2026-02-04 1835次

    万联芯微信公众号

    元器件现货+BOM配单+PCBA制造平台
    关注公众号,优惠活动早知道!
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部