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在电源管理领域，高效、可靠的功率器件是提升系统性能的关键。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合SGT屏蔽栅技术，推出全新N沟道增强型MOSFET系列产品，其中MDDG10R08G采用PDFN5*6-8L封装，符合RoHS标准，以其卓越的开关性能与低导通电阻，成为同步整流、电机驱动等应用的理想选择。
一、核心性能
1. 低导通电阻，高效节能
在VGS=10V、ID=35A条件下，最大导通电阻（RDS(on)）仅为8mΩ（典型值6mΩ），显著降低导通损耗，提升系统效率。
支持4.5V低栅极驱动电压（Max RDS(on)=11mΩ@30A），适配低压控制场景。
2. 快速开关与低反向恢复电荷
优化动态性能：开启延迟时间11ns，关断延迟时间33ns，适应高频开关需求。
超低反向恢复电荷（Qrr=71nC）和软恢复特性，减少开关噪声，提升EMC表现。
3. 高可靠性设计
100V耐压设计，支持75A连续电流与240A脉冲电流，满足严苛负载条件。
产品100% 通过UIS（无钳位电感开关）测试，单脉冲雪崩能量（Eas）达130mJ，确保抗冲击能力。
工作温度范围-55°C至+150°C，适应工业级环境。
二、电性曲线图
三、典型应用场景
1. 快充与电源适配器
适用于AC/DC同步整流电路，低导通损耗与快速开关特性可显著提升充电效率，减少发热。
2. 电机驱动与UPS系统
高电流承载能力与抗雪崩特性，保障电机启停和突发负载下的稳定运行。
3. 光伏微逆变与电池管理
低栅极驱动电压需求适配太阳能MPPT控制，高效能量转换；在BMS中实现精准充放电管理。
四、选型推荐
|
Part Number |
Type |
BVDSS(V) |
ID (A) |
VGS (V) |
ESD |
RDS(ON) (mΩ) VGS=10V |
RDS(ON) (mΩ) VGS=4.5V |
RDS(ON) (mΩ) VGS=2.5V |
VGS(th) (V) |
Package |
||||
|
Typ. |
Max. |
Typ. |
Max. |
Typ. |
Max. |
Min. |
Max. |
|||||||
|
MDDG10R08P |
N |
100 |
70 |
±20 |
N |
7 |
8 |
8 |
10 |
一 |
一 |
1 |
2.5 |
TO-220C-3L |
|
MDDG10R08G |
N |
100 |
70 |
±20 |
N |
7 |
8 |
8 |
10 |
一 |
一 |
1 |
2.5 |
PDFN5*6-8L |
|
MDDG10R08D |
N |
100 |
70 |
±20 |
N |
7 |
8 |
8 |
10 |
一 |
一 |
1 |
2.5 |
TO-252 |
|
MDDG10R20D |
N |
100 |
30 |
±20 |
N |
13.8 |
20 |
17.4 |
26 |
一 |
一 |
1.4 |
2.5 |
TO-252 |
|
MDDG10R04P |
N |
100 |
130 |
±20 |
N |
3.2 |
4.4 |
一 |
一 |
一 |
一 |
2 |
4 |
TO-220C-3L |
除了MDDG10xx系列，MDD还新推出一系列低压大电流系列MOS针对不同的应用场景，提供多封装如Toll、PDFN3*3、PDFN5*6、TO-220C-3L、TO-252、TO-263、SOP-8、SOT-26、SOT-23等，以满足各行业匹配需求。
