h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 产品资讯>英飞凌>Infineon英飞凌 XMC4800-E196F2048 AA 产品介绍

XMC4800-E196F2048 AA

现货,推荐

XMC4800器件是基于 Arm® Cortex-M4® 处理器内核的 XMC4000 系列微控制器的成员。当今节能嵌入式控制应用日益复杂,要求微控制器解决方案必须具有更高性能、具有 DSP 和 FPU 功能的 CPU 内核。 Arm® Cortex-M® 微控制器上首个 EtherCAT 节点,具有片上闪存和模拟/混合信号功能。

Infineon英飞凌 XMC4800-E196F2048 AA 产品介绍
2026-04-14 2次

特性


  • ARM ® Cortex ® -M4 @ 144MHz
  • 2048kB 闪存、352kB RAM
  • Flash 上的数据和 IP 保护
  • 电源电压范围:3.13 - 3.63V
  • EtherCAT ®节点
  • 6 x CAN节点
  • 以太网MAC、USB-OTG、SD/MMC
  • 6chan USIC(配置为 SPI、UART、IIC、IIS)
  • 外部总线单元
  • 4 x 12 位 ADC,26 个输入通道
  • 2通道12位DAC
  • 4通道∆Σ解调器

应用


汽车车身控制模块 (BCM), 电动助力转向 (EPS), 通用电机驱动器, 家用机器人

参数


类型

描述

A/D输入线路 (incl. FADC)

26

CAN节点

6

CPU

ARM Cortex-M4

DMA通道

12

DSP功能

Yes

EEPROM仿真 (Data-Flash)

Emulated

SRAM (包括高速缓存)

352 kByte

SRAM

352 kByte

串行I/O接口

6

串行I/O接口的类型

SPI, UART, I²C, I²S

功耗模式

clock gating possible

外部总线接口

Yes

存储器类型

Flash

定时I/O引脚 (PWM, CAPCOM)

32

实时时钟

Yes

快速闪存编程

No

指令宽度 ([bits])

32/16

振荡器看门狗

Yes

数字I/O引脚

155

最低I/O 操作电压

3.3 V

次内核

N/A

浮点单元

Yes

温度

-40 to 85°C

片上时钟生成

Yes

片上电压调节器

Yes

看门狗定时器

Yes

程序存储器

2048 kByte

系列

XMC4800

触摸/LED矩阵控制

Yes

认证标准

Industrial

闪存

2048 kByte

附加功能

EtherCAT®, USB, SD/MMC, Ethernet 10/100 Mbit/s

预算价格€/1k

13.23

最高 频率

144 MHz

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 3次
  • Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍
  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍
  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 3次
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部