Infineon英飞凌_IST015N06NM5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IST015N06NM5 产品介绍

2026-04-14 2次

产品详情

高功率和电流密度
高热容量
降低传导损耗
优化开关行为
比 DPAK/D²PAK 更小
常见的 JEDEC MO-319A 封装

特性

JEDEC 注册
7x8 mm² 小尺寸
无引线封装
低封装 R 和最小杂散电感
最新一代技术 OptiMOS ™ 5
R_DS(on)1.5 mOhm
引线尖端检查功能

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	242 A
最高 IDpuls	968 A
最高 Ptot	167 W
QG (typ @10V)	71 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.5 mΩ
最高 VDS	60 V
VGS(th) 范围	2.1 V 至 3.3 V
VGS(th)	2.8 V
安装	SMD
封装	sTOLL (HSOF-5)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	5 Pins
极性	N
预算价格€/1k	2.36

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IST015N06NM5

采用 sTOLL 封装的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60 V 的 RDS(on) 为 1.5 mOhm。它具有英飞凌著名的坚固工业封装质量水平优势，使其成为电池供电应用（包括电动和园艺工具以及电动滑板车）中各种性能的理想解决方案。

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特性

参数

4000-306-326