Infineon英飞凌_IGT65R055D2_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IGT65R055D2 产品介绍

2026-04-14 2次

产品详情

支持高工作频率
实现最高系统效率
实现超高功率密度设计
支持节省 BOM 成本

特性

650 V e-mode 功率晶体管
超快速开关
无反向恢复电荷
具有反向传导能力
低栅极电荷、低输出电荷
卓越的换向稳定性
低动态 R_DS(on)
高 ESD 耐受性：2 kV HBM - 1 kV CDM
底部冷却封装
符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22)

应用

电动汽车充电, 数据中心及 AI 数据中心解决方案, 电信基础设施的 AC-DC 电源转换, 光伏, 工业电源

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	31 A
最高 IDpuls (@25°C)	60 A
QG	4.7 nC
RDS (on) (typ)	55 mΩ
最高 RDS (on)	66 mΩ
最高 VDS	650 V
封装	TOLL
环保认证	RoHS compliant, Halogen free
目前计划的可用性至少到	2035
系列	CoolGaN™ Transistor 650 V G5
认证标准	Industrial

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IGT65R055D2

IGT65R055D2 GaN功率晶体管可提高高频运行时的效率。作为 CoolGaN ™ 650 V G5 系列的一部分，它符合最高质量标准，可实现具有卓越效率的高可靠性设计。它采用底部冷却的 TOLL 封装，旨在实现各种工业应用中的最佳功率耗散。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326

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IGT65R055D2

IGT65R055D2 GaN功率晶体管可提高高频运行时的效率。作为 CoolGaN ™ 650 V G5 系列的一部分，它符合最高质量标准，可实现具有卓越效率的高可靠性设计。 它采用底部冷却的 TOLL 封装，旨在实现各种工业应用中的最佳功率耗散。

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4000-306-326

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