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1EDI3031AS

在产

EiceDRIVER ™ 1EDI3031AS 采用英飞凌的无芯变压器技术,实现跨电流隔离的双向信号传输。安全特性和 ISO 26262 合规性使其达到 ASIL D 分类。安全文件有助于 FMEDA 分析。紧凑的设计和功能集成节省空间和成本。引脚兼容的版本可方便在 SiC MOSFET 和 IGBT 之间切换,以满足不同的应用需求。

Infineon英飞凌 1EDI3031AS 产品介绍
2026-04-14 5次

产品详情


  • 易于使用的预配置,无需编程
  • 引脚兼容 = 轻松切换 bn 变体
  • 符合 ASIL D 安全特性和 ISO26262 要求
  • 减少 BoM 和 PCB 空间,紧凑的设计

特性


  • 单通道隔离式 SiC MOSFET 驱动器
  • 适用于高达 1200 V 的 SiC MOSFET
  • 高达 150 V/ns 的 CMTI
  • 8 kV 基本绝缘
  • 6.8 kV 加强绝缘
  • 基本绝缘和加强绝缘
  • 传播延迟典型值 60 ns
  • 支持单极开关
  • 用于 PMSM 电机驱动应用的 ASC 引脚
  • 支持 ASIL B(D)
  • 高级驱动器诊断

应用


新能源汽车动力系统, 电动汽车牵引逆变器, 燃料电池控制单元 (FCCU)

参数


类型

描述

关断传播延迟

60 ns

封装

PG-DSO-20

开通传播延迟

60 ns

电压等级

1200 V

系列

EiceDRIVER™ isolated gate driver ICs for EV

认证标准

Automotive

输入Vcc 范围

3 V 至 5.5 V

输出电流 (Source)

20 A

输出电流 (Sink)

20 A

通道数

1

配置

High-side, High-side

隔离类型

Galvanic isolation - Reinforced

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  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 18次
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    2026-04-14 27次
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    2026-04-14 25次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 23次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 19次
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