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GS-065-008-6-L-TR

GS-065-008-6-L 是一种增强型 GaN-on-Si 功率晶体管,具有允许高电流、高击穿电压和高开关频率的特性。它采用底部冷却的 PDFN 封装,具有非常低的结到外壳热阻,使其成为要求严格的高功率应用的理想选择。这些特性结合在一起,确保了电源切换的极高效率。

Infineon英飞凌 GS-065-008-6-L-TR 产品介绍
2026-04-14 8次

产品详情


  • 支持高工作频率
  • 实现最高系统效率
  • 实现超高功率密度设计
  • 支持节省 BOM 成本

特性


  • 700 V e-mode 功率晶体管
  • 850 V 瞬态漏源电压
  • 底部冷却,小型 5x6 mm PDFN 封装
  • RDS(on)= 165 mΩ
  • IDSmax,DC= 8.8 A /IDSmax,Pulse= 14.8 A
  • 超低 FOM
  • 栅极驱动要求 (0 V 至 6 V)
  • 高开关频率 (> 1 MHz)
  • 快速、可控的下降和上升时间
  • 反向传导能力
  • 零反向恢复损耗

应用


USB-C 充电器和适配器, 数据中心及 AI 数据中心解决方案, 电信基础设施的 AC-DC 电源转换, 开关模式电源(SMPS)

参数


类型

描述

最高 ID (@25°C)

8.8 A

最高 IDpuls (@25°C)

14.8 A

QG

1.6 nC

RDS (on) (typ)

165 mΩ

最高 RDS (on)

235 mΩ

最高 VDS

700 V

封装

PDFN

环保认证

RoHS compliant, Halogen free

认证标准

Industrial

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