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  Nexperia(安世半导体)近日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合，并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用以及各种电信、电机控制和其他工业设备中提供高效率和低尖峰。设计人员可以从80 V和100 V器件中进行选择，RDS(on)选型从1.8 mΩ到15 mΩ不等。

  许多MOSFET制造商在将其器件的开关性能与其他产品进行对比时，特别看重是否能通过低QG(tot)和低QGD实现高效率。然而，通过广泛的研究，Nexperia发现Qrr同样重要，因为它会影响尖峰表现，进而影响器件开关期间产生的电磁干扰(EMI)量。通过专注于研究该参数，Nexperia大大降低了其NextPower 系列80/100 V MOSFET产生的尖峰水平，同时也降低了它们产生的EMI量。如果最终用户的应用在后期未通过电磁兼容性(EMC)测试，而需要重新设计时，这将降低添加额外外部组件所需的高昂成本，从而为最终用户带来显著的益处。

  与当前可用的器件相比，这些新MOSFET的导通电阻(RDSon)降幅高达31%。Nexperia还计划在今年晚些时候进一步加强其NextPower 80/100 V产品组合，再发布一款LFPAK88 MOSFET，在80 V下提供低至1.2 mΩ的RDS(on)，同时在产品组合中引入功率密集型CCPAK1212。为了进一步支持这些器件的设计导入和验证，Nexperia屡获殊荣的交互式数据手册，为工程师提供了全面且用户友好的器件行为分析。