h1_key

当前位置:首页 >新闻资讯 > 品牌资讯>安世>安世半导体排名全球第5、中国第1
安世半导体排名全球第5、中国第1
2023-03-22 2087次

芯谋研究发布《中国功率分立器件市场年度报告2023》。报告显示,闻泰科技旗下安世半导体在2022年全球前20大功率分立器件公司排名中位列第5,相比2021年上升1名,在中国排名蝉联第1。

 

 

《中国功率分立器件市场年度报告2023》发布现场

 

纵观全球功率分立器件发展趋势,芯谋研究总监李国强分析认为,2022年全球功率分立器件市场大涨19.2%,驱动因素主要来自于在全球新能源汽车高速增长推动下汽车电子的高速增长,抵消PC、手机等市场下滑因素后,全球功率分立器件仍实现19.2%增速。展望未来两年,全球功率分立器件仍将小幅成长。

 

该报告发布了2022年全球前20大功率分立器件公司营收排名,针对排名变化情况,李国强指出,英飞凌和安森美依然为全球前两大厂商,值得注意的是,国内公司有5家公司已经进入全球前20大排名,排名全球第5的中国第一大公司是安世半导体。安世半导体在汽车领域的营收占比较大,在2022年汽车电子量价齐涨之下,安世半导体整体营收呈现快速提升。

 

 

全球功率分立器件公司排名 来源:芯谋研究

 

  • 安世半导体IGBT模块赋能马达驱动应用
  • Nexperia(安世半导体)的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力,实现更高的电流密度和系统可靠性。
    2023-10-20 595次
  • Nexperia安世半导体2035年碳中和目标
  • Nexperia致力于到2035年在其直接运营排放(范围1)和为运营采购能源而产生的间接排放(范围2)方面实现碳中和。这一变革性承诺需要借助可靠的来源向100%可再生能源过渡,为全球所有的公司运营和工厂提供电力。Nexperia全面的可持续发展计划不仅致力于减少范围1和范围2的排放,而且最终将力求未来消除范围3的排放,范围3的排放代表公司全球价值链产生的间接排放。
    2023-09-22 809次
  • 碳化硅二极管优于硅二极管的8大原因
  • SiC的介电击穿场强比硅基器件高出约10倍,且在给定的截止电压下,SiC的漂移层比硅基器件更薄且掺杂浓度更高,因此SiC的电阻率更低,传导性能也更好。这意味着,在额定电压相同的情况下,SiC芯片比其等效的硅芯片更小。
    2023-08-02 678次
  • 安世半导体IGBTs高功率带来更多选择
  • 绝缘栅双极性晶体管(IGBT)面市已有些时日,事实上,通用电气(GE)早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起,IGBT成为了中压和高压(>200 V )应用的主要器件,包括供暖通风与空气调节(HVAC)系统以及电焊和感应加热等高电流应用。随着太阳能面板、电动汽车充电器和工业伺服电机的日益普及,市场对高压解决方案的需求也在不断攀升。为了满足各个行业的需求,并进一步完善持续扩大的高压技术产品组合(GaN和SiC),Nexperia (安世半导体)正在推出多个 IGBT系列,首先便是600 V 器件。
    2023-07-21 568次
  • 为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样
  • 在高功率应用中,碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅,包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是,与硅快速恢复二极管相比,纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia(安世半导体)如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起,以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。
    2023-06-15 569次

    万联芯微信公众号

    元器件现货+BOM配单+PCBA制造平台
    关注公众号,优惠活动早知道!
    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部