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  • 安世半导体IGBT模块赋能马达驱动应用
    • Nexperia(安世半导体)的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力，实现更高的电流密度和系统可靠性。
    2023-10-20 564次
  • Nexperia安世半导体2035年碳中和目标
    • Nexperia致力于到2035年在其直接运营排放(范围1)和为运营采购能源而产生的间接排放(范围2)方面实现碳中和。这一变革性承诺需要借助可靠的来源向100%可再生能源过渡，为全球所有的公司运营和工厂提供电力。Nexperia全面的可持续发展计划不仅致力于减少范围1和范围2的排放，而且最终将力求未来消除范围3的排放，范围3的排放代表公司全球价值链产生的间接排放。
    2023-09-22 772次
  • 碳化硅二极管优于硅二极管的8大原因
    • SiC的介电击穿场强比硅基器件高出约10倍，且在给定的截止电压下，SiC的漂移层比硅基器件更薄且掺杂浓度更高，因此SiC的电阻率更低，传导性能也更好。这意味着，在额定电压相同的情况下，SiC芯片比其等效的硅芯片更小。
    2023-08-02 644次
  • 安世半导体IGBTs高功率带来更多选择
    • 绝缘栅双极性晶体管(IGBT)面市已有些时日，事实上，通用电气(GE)早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起，IGBT成为了中压和高压(>200 V )应用的主要器件，包括供暖通风与空气调节(HVAC)系统以及电焊和感应加热等高电流应用。随着太阳能面板、电动汽车充电器和工业伺服电机的日益普及，市场对高压解决方案的需求也在不断攀升。为了满足各个行业的需求，并进一步完善持续扩大的高压技术产品组合(GaN和SiC)，Nexperia (安世半导体)正在推出多个 IGBT系列，首先便是600 V 器件。
    2023-07-21 537次
  • 为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样
    • 在高功率应用中，碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia(安世半导体)如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。
    2023-06-15 539次
  • 安世半导体交互式数据手册分析MOSFET
    • 这些交互式数据手册使用 Nexperia 安世半导体的高级电热模型计算器件的工作点，可有效地为电路仿真器提供一种图形用户界面。此外，工程师借助这些交互式数据手册可以即时查看栅极电压、漏极电流、 RDS(on) 和温度等参数之间的相互作用。然后将以表格或图形的形式动态显示这些参数对器件行为的综合影响。
    2023-05-11 621次
  • 100BASE-T1/1000BASE-T1汽车以太网
    • 100BASE-T1和1000BASE-T1的拓扑结构，汽车以太网用法灵活，并能显著提高数据速率(与传统的 CAN HS/FD 相比)，因此能够桥接各种复杂的通信域，如图1所示。这一特性进一步强化汽车以太网在未来车载数据通信架构中的作用，而在未来，ADAS、信息娱乐系统和动力系统等关键应用将在汽车领域内显著增长。
    2023-04-27 1803次
  • 安世半导体排名全球第5、中国第1
    • 芯谋研究发布《中国功率分立器件市场年度报告2023》。报告显示，闻泰科技旗下安世半导体在2022年全球前20大功率分立器件公司排名中位列第5，相比2021年上升1名，在中国排名蝉联第1。
    2023-03-22 2058次
  • 安世东莞封测厂扩建项目总投资30亿元
    • 安世东莞封测厂扩建项目总投资30亿元，扩建项目签约仪式在东莞黄江举行。仪式现场，闻泰科技孙公司安世半导体（中国）有限公司与东莞市黄江镇人民政府签署了《安世半导体（中国）有限公司封测厂扩建项目投资协议》。
    2023-03-22 748次
  • 安世半导体助力碳中和
    • 功率半导体对助力碳中和具有重大意义，安世半导体（Nexperia）作为全球知名的功率半导体IDM企业，通过推出大量低功耗功率半导体产品、采用低功耗工艺技术等方式助力碳中和。
    2023-03-22 817次
  • 安世半导体再获功率器件行业大奖！
    • 论坛同期举办的 2022 电源行业配套品牌颁奖晚会评选中，Nexperia（安世半导体）凭借高效率、高可靠性 GaN（氮化镓）器件在市场的不俗表现与强大的国际竞争力，突出重围，成功斩获「国际功率器件行业卓越奖」大奖。
    2023-03-22 694次
  • 安世半导体获得2022行家极光奖两项大奖！
    • 2022年行家说全球第三代半导体产业发展高峰论坛，暨2022行家极光奖（2022 Hangjia Aurora Award）颁奖晚宴在深圳顺利举办。Nexperia（安世半导体）突出重围，将「GaN产业推动先锋」与「中国GaN 功率器件十强」两项大奖收入囊中，展现了作为基础半导体领域全球领导者的强大实力。
    2023-02-23 978次
  • 安世Nexperia安全气囊的汽车ASFETs斩获年度功率半导体/驱动器大奖！
    • 由AspenCore主办的2022国际集成电路展览会暨研讨会（IIC）已于11月10日 - 11日在深圳顺利举办。在大会同期举办的2022全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, WEAA）评选中，Nexperia（安世半导体）的适用于安全气囊的汽车ASFETs斩获年度功率半导体/驱动器大奖。
    2023-02-23 768次
  • Nexperia 2022全球电子成就奖评选
    • 2022 年全球电子成就奖（WEAA）网络评选，安世半导体不负众望，携汽车 ASFETs再度强势入围。此前，安世半导体已经连续2年成功斩获年度功率半导体/驱动器大奖。
    2023-02-23 949次
  • 怎么选择沟槽肖特基整流器
    • Trench 沟槽肖特基整流器系列在VF和IR之间实现了很好的平衡。与平面肖特基二极管相比，沟槽肖特基器件具有更宽的安全工作范围（SOA）。由于对热失控的鲁棒性，这使得它们在环境温度较高的应用中成为理想选择。
    2023-02-21 916次
  • 通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)
    • 通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)，由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度，因而在许多应用中，需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平，从而确保BJT稳定安全地工作。了解如何使用RET来应对标准BJT的温度依赖性。
    2023-02-21 1146次
  • 电机控制和转换效率的汽车应用
    • 对于越来越多的汽车应用来说，电源转换和电机控制应用的效率是一项始终需要关注的设计规范要求。现代内燃机汽车越来越多地使用低压三相电机控制系统，包括燃油泵、座位调节电机和空调电机。
    2023-02-21 708次
  • 安世为汽车A/V接口提供ESD保护
    • 从设计方面来看，高速视频链接设计需要考虑如何在恶劣的环境下，保持所需的信号完整性。视频数据路径中添加的每个组件都会引入损耗，这将影响同轴电缆的选择、连接器的质量，以及信号如何路由到链接的物理接口(PHY)。保持信号完整性是重中之重，但仍需要通过增加适当级别的保护，防止潜在的ESD脉冲和故障条件（例如电池轨短路）。
    2023-02-21 805次
  • 安世面向USB4数据线的ESD保护器
    • 以前ESD保护器件的射频性能是通过观察其电容来进行比较的，但这种方法在10 GHz左右已达到了极限。因为ESD保护器件的电容和固有电感能够有效地形成带阻滤波器。
    2023-02-21 670次
  • 安世36 V电池隔离MOSFET
    • 出现故障的情况下，当故障导致深度放电时，由于在高电流下电路电感两端产生的电压，PSMN1R5-50YLH电池隔离MOSFET通常会进入线性模式。因此，维持稳定的安全工作区至关重要。
    2023-02-21 698次
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