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SK海力士开发出业界首款12层堆叠最高容量24GB HBM3 DRAM芯片
SK海力士官网消息:SK海力士成功开发出垂直堆叠12个单品DRAM芯片、最高容量24GB(Gigabyte,千兆字节)2的HBM3 DRAM新产品,并正在接受客户公司的性能验证。现有HBM3 DRAM的最大容量是垂直堆叠8个单品DRAM芯片的16GB。 海力士表示此新产品采用了先进(Advanced)MR-MUF3和TSV4技术,通过先进MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性,又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠,实现了与16GB产品相同的高度。
2023-04-20
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SK海力士开发出业界首款12层堆叠最高容量24GB HBM3 DRAM芯片
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