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SK海力士官网消息：SK海力士成功开发出垂直堆叠12个单品DRAM芯片、最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）²的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。现有HBM3 DRAM的最大容量是垂直堆叠8个单品DRAM芯片的16GB。

海力士表示此新产品采用了先进（Advanced）MR-MUF³和TSV⁴技术，通过先进MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性，又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠，实现了与16GB产品相同的高度。

海力士HBM3 DRAM产品将被主要运用于最近大火的人工智能聊天机器人（AI Chatbot）产业。

HBM是High Bandwidth Memory的缩写，即高带宽存储器，是超微半导体和SK Hynix发起的一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，如图形处理器、网上交换及转发设备（如路由器、交换器）等。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）的顺序开发。