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海力士 H5AN8G6NDJR-VKC 详细介绍
2025-09-09 14次


海力士 H5AN8G6NDJR-VKC 作为一款性能优异的 DDR4 SDRAM 芯片,在存储领域占据重要地位,其各项参数与功能特性使其能够适应多种复杂的应用场景,为电子设备的高效运行提供有力支撑。

 

在核心参数方面,H5AN8G6NDJR-VKC展现出均衡且出色的性能。它拥有 8Gbit 的存储容量,采用 512M x 16 的组织架构,这意味着其内部包含 512M 个存储单元,每个单元可进行 16 位数据的并行处理,能够满足大量数据的存储与快速调用需求。数据传输速度达到 2400Mbps,配合 DDR4 技术特有的双数据速率模式,在时钟信号的上升沿和下降沿都能实现数据传输,大幅提升了数据吞吐能力,可快速响应设备对数据的读写请求。

 

工作电压设定为 1.2V,这一低电压设计带来了显著的低功耗优势。无论是在移动设备中,还是在大规模部署的服务器集群里,都能有效降低能源消耗,减少设备发热,延长设备的持续运行时间,同时降低散热系统的负担,提升整体系统的稳定性。封装形式采用 96 引脚的 FBGA(细间距球栅阵列),这种封装不仅尺寸小巧,能够节省电路板空间,有利于设备的小型化设计,而且引脚间距小,电气性能优良,能保证信号传输的稳定性和高速性,减少信号干扰。

 

功能特性上,H5AN8G6NDJR-VKC 具备多项实用功能。它支持自动刷新和自刷新模式,在系统处于待机或低功耗状态时,能够自动维持内存中的数据完整性,确保数据不会丢失,这对于需要长时间运行且对数据可靠性要求高的设备来说至关重要。同时,芯片拥有 0°C 至 + 85°C 的宽工作温度范围,使其能够在不同的环境条件下稳定工作,无论是在常温的办公环境,还是在温度稍高的工业场景,都能保持良好的性能表现。

 

在应用场景方面,该芯片的适配范围广泛。在通信设备领域,如 4G/5G 基站的信号处理模块,需要快速处理和缓存大量的通信数据,H5AN8G6NDJR-VKC 的高容量和高速传输能力能够满足基站对实时数据处理的需求,保障通信信号的稳定与流畅。在工业自动化控制中,工厂的生产线控制系统依赖于内存芯片的稳定运行来处理各类传感器数据和控制指令,其宽温特性和低功耗优势,使其能够在工业环境中可靠工作,确保生产流程的连续与高效。

 

企业级服务器也是其重要的应用阵地,服务器需要同时处理多个用户的请求,进行大量的数据存储和运算,H5AN8G6NDJR-VKC 的大容量可以存储海量的业务数据,高速传输性能则能快速响应用户操作,提升服务器的处理效率,保障企业业务的顺利开展。此外,在一些嵌入式设备中,如智能监控摄像头、物联网网关等,该芯片的小巧封装和低功耗特点,使其能够很好地融入设备设计,为设备的智能化运行提供存储支持。

 

综合来看,海力士 H5AN8G6NDJR-VKC 凭借其均衡的参数配置、实用的功能特性以及广泛的场景适配性,成为众多电子设备设计中的理想选择,为不同领域的数字化发展提供了坚实的存储保障。

 

  • 海力士 H5AN8G6NDJR-VKC 详细介绍
  • H5AN8G6NDJR-VKC展现出均衡且出色的性能。它拥有 8Gbit 的存储容量,采用 512M x 16 的组织架构,这意味着其内部包含 512M 个存储单元,每个单元可进行 16 位数据的并行处理,能够满足大量数据的存储与快速调用需求。数据传输速度达到 2400Mbps,配合 DDR4 技术特有的双数据速率模式,在时钟信号的上升沿和下降沿都能实现数据传输,大幅提升了数据吞吐能力,可快速响应设备对数据的读写请求。
    2025-09-09 15次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-XNC 选型、赋能、开发简介
  • 存储容量:H5AN8G6NCJR-XNC 单颗芯片具备 8Gbit 的大容量,采用 512M x 16 的组织形式。对于一般办公电脑,该容量足以支撑日常办公软件多开及基本多任务处理,实现流畅操作体验。但在大数据分析平台、数据中心服务器等对数据存储与运算要求极为严苛的场景中,往往需要多颗芯片并行工作,以搭建起满足需求的大容量内存体系,确保海量数据的高效存储与快速调用。
    2025-09-09 22次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-WMC 功能特性介绍和选型要点
  • H5AN8G6NCJR-WMC 单颗芯片拥有 8Gbit 的大容量内存,采用 512M x 16 的组织形式。这意味着它能够存储海量数据,对于数据密集型应用场景而言,具有极大优势。例如在企业级服务器中,需要存储和快速调用大量的业务数据、数据库文件等,该芯片的高容量特性可有效减少内存扩展的需求,降低硬件成本和系统复杂度。
    2025-09-09 15次
  • 海力士 H5AN8G6NCJR-VKC:参数与应用深度解析
  • 在 5G 基站的应用中,H5AN8G6NCJR-VKC主要承担基带信号处理单元(BBU)的临时数据缓存任务。在 Massive MIMO 技术的基站中,每根天线每秒产生的 I/Q 数据量高达 800MB,H5AN8G6NCJR-VKC 的高速带宽能够实时缓存 4 个天线通道的并行数据,配合 FPGA 完成波束赋形计算。其支持的 On-Die ECC(片上错误校验)功能,可自动修正单比特错误,在信号干扰严重的城市密集区,能将数据重传率降低 30% 以上。
    2025-09-09 21次
  • 海力士 H5ANAG6NCJR-WMC:高性能内存芯片的独特赋能与竞品优势剖析
  • H5ANAG6NCJR-WMC 构建于成熟且先进的 DDR4 SDRAM 技术之上。DDR4 相较于 DDR3 实现了多维度的技术飞跃,其中核心电压从 1.5V 降至 1.2V,这一关键变化不仅大幅降低了芯片的功耗,对于依赖电池供电的移动设备而言,显著延长了续航时间;在大规模数据中心,更是有效降低了能源成本。同时,DDR4 引入的 Bank Group 架构,将内存 bank 巧妙划分为多个独立组,允许数据请求并行处理,使得带宽提升约 50%,为设备高效处理复杂数据任务奠定了坚实基础。芯片内部集成的温度传感器与电源管理单元,犹如智能管家,实时监测芯片状态并动态调整运行参数,确保系统在各种复杂工作条件下都能稳定运行,为设备的持续高效运转提供保障。
    2025-09-08 62次

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