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  Nexperia安世半导体宣布发布几款新型MOSFET，以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围，可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于 PoE、eFuse 和继电器替代产品的 100 V 应用专用 MOSFET (ASFET)，采用 DFN2020 封装，体积缩小 60%，以及改进了电磁兼容性(EMC)的 40 V NextPowerS3 MOSFET。

  PoE交换机通常有多达48个端口，每个端口需要2个MOSFET提供保护。单个PCB上有多达96个MOSFET，小型化器件封装尺寸的解决方案极具吸引力。为此，Nexperia发布了采用2 mm x 2 mm DFN2020封装的100 V PoE ASFET，与以前采用LFPAK33封装的版本相比，占用的空间减少了60%。这些器件的一个关键功能是通过限制浪涌电流来保护PoE端口，同时安全地管理故障情况。为了应对这种情况，Nexperia将这些器件的安全工作区(SOA)增强了3倍，而RDS(on)只有非常微小的增幅。 这些ASFET还适用于电池管理、Wi-Fi热点、5G微微蜂窝和闭路电视应用，并且可以替代智能恒温器中的机械式继电器等。

由MOSFET开关引起的EMC相关问题通常只出现在产品开发周期的后期，解决这些问题可能会产生额外的研发成本并延迟市场发布。典型的解决方案包括使用更昂贵且RDS(on)较低的MOSFET(以减慢开关速度并吸收过多的电压振铃)或安装外部电容缓冲器电路，但这种方法的缺点是会增加元件数量。Nexperia优化了其40 V NextPowerS3 MOSFET，以提供与使用外部缓冲器电路可实现的相似的EMC性能，同时还提供更高的效率。这些MOSFET采用LFPAK56封装，适用于各种应用的开关转换器和电机控制器。