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  2023年1月，2022年行家说全球第三代半导体产业发展高峰论坛，暨2022行家极光奖(2022 Hangjia Aurora Award)颁奖晚宴在深圳顺利举办。Nexperia(安世半导体)突出重围，将「GaN产业推动先锋」与「中国GaN 功率器件十强」两项大奖收入囊中，展现了作为基础半导体领域全球领导者的强大实力。Nexperia(安世半导体)MOSFET 业务集团大中华区总监李东岳出席了晚宴并代表了安世半导体领奖。

  在全球“双碳”战略的推动下，整个能源系统都在向“清洁可再生”的新能源转型，而新能源汽车、“光储充”、数据中心等环节成为了实现“碳中和”的重要抓手。第三代半导体技术氮化镓凭借高效率、高密度、小尺寸、低总成本等优势，成为了这场绿色能源革命的关键技术支撑，已经被各个应用领域广泛采用，整个产业开始驶入快车道。

  行家说作为第三代半导体产业领先的媒体与产业研究机构代表，设立了“行家极光奖”，旨在重点表彰供应链的优秀企业、做出重要应用表率的企业以及具有技术突破或拓宽应用边界的优秀产品，为行业树立标杆。经过数月的紧张评选，Nexperia(安世半导体)获得了业界认可，在众多参选企业中脱颖而出，荣获大奖。

  GaN产业推动先锋奖

  获得本年度“氮化镓产业推动先锋”奖项的企业长期深耕氮化镓技术，在行业里拥有广泛的影响力，并且长期活跃于各个应用市场。经过多年快速发展，他们在氮化镓领域享誉盛名，而且市场占有率保持领先，在氮化镓的技术水平、质量水平提升等方面具有示范效应，为推动全球氮化镓产业发展作出了重要贡献。

  中国GaN 功率器件十强

  该奖项主要表彰本年度碳化硅/氮化镓供应链中快速崛起的优秀企业，他们实现了国产第三代半导体材料、器件、模块和装备等环节技术的突围，并且在全球化道路上迈出坚实的步伐，提升中国第三代半导体的全球影响力。获得十强榜单奖项的企业在品牌影响力、市场占有率、创新能力和未来的发展潜力等综合实力较为突出。

  △ Nexperia 推出氮化镓功率器件 (GaN FET)

  安世半导体一直投资和研发自有氮化镓工艺技术。通过逐年的经验积累和技术深入，掌握未来如何以最优方式运用这项技术。目前遍布全球的自有化生产基地可以提供真正车规级 AEC-Q101 认证的产品。新一代的安世半导体氮化镓(HEMTs)，提供业界领先的低导通电阻，更高的开关稳定性，可显著提升动态性能。

  安世半导体不到三年就推出三代 650 V 高功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET)，提供从 2 kW 到 250 kW的 GaN 应用方案并推向更高的功率水平。此外，安世持续改进主力产品—— MOSFET，对于客户而言使用高效的功率半导体比以往任何时候都重要，安世半导体的产品将为节能降耗做出更多贡献，推动早日实现“碳中和”的目标。