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Nexperia安世半导体2035年碳中和目标
2023-09-22 770次

  Nexperia(安世半导体)总部位于荷兰,是一家拥有60多年历史且发展迅速的全球性半导体企业。公司年产量超过1,000亿件,Nexperia深知自身对保护环境应承担的社会责任。今年五月,Nexperia发布了其首份可持续发展报告,其中针对公司的环境影响、社会责任、增长目标以及其作为国际行业领导者的重要角色进行了评估。今天,Nexperia自豪地宣布其实现碳中和的预期目标,同时秉持公开透明的原则,并采取问责制度。

  Nexperia致力于到2035年在其直接运营排放(范围1)和为运营采购能源而产生的间接排放(范围2)方面实现碳中和。这一变革性承诺需要借助可靠的来源向100%可再生能源过渡,为全球所有的公司运营和工厂提供电力。Nexperia全面的可持续发展计划不仅致力于减少范围1和范围2的排放,而且最终将力求未来消除范围3的排放,范围3的排放代表公司全球价值链产生的间接排放。

  Nexperia对创新做出了坚定的承诺,并以此为发展动力,专注于开发能够确保日常产品能效的半导体,为世界各地人民创造一个更加美好的未来。作为公司前瞻性方法的一部分, Nexperia还全面考虑了企业的环境、社会责任和公司治理(ESG)影响。凭借可持续发展路线图和碳中和目标,Nexperia充分履行其责任,努力实现全面绿色转型。Nexperia不仅在保护地球方面承担起自身责任,还致力于推动他人奉献自己的力量,一起维护人类共同的未来。

  • 安世半导体IGBT模块赋能马达驱动应用
  • Nexperia(安世半导体)的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力,实现更高的电流密度和系统可靠性。
    2023-10-20 563次
  • Nexperia安世半导体2035年碳中和目标
  • Nexperia致力于到2035年在其直接运营排放(范围1)和为运营采购能源而产生的间接排放(范围2)方面实现碳中和。这一变革性承诺需要借助可靠的来源向100%可再生能源过渡,为全球所有的公司运营和工厂提供电力。Nexperia全面的可持续发展计划不仅致力于减少范围1和范围2的排放,而且最终将力求未来消除范围3的排放,范围3的排放代表公司全球价值链产生的间接排放。
    2023-09-22 771次
  • 碳化硅二极管优于硅二极管的8大原因
  • SiC的介电击穿场强比硅基器件高出约10倍,且在给定的截止电压下,SiC的漂移层比硅基器件更薄且掺杂浓度更高,因此SiC的电阻率更低,传导性能也更好。这意味着,在额定电压相同的情况下,SiC芯片比其等效的硅芯片更小。
    2023-08-02 643次
  • 安世半导体IGBTs高功率带来更多选择
  • 绝缘栅双极性晶体管(IGBT)面市已有些时日,事实上,通用电气(GE)早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起,IGBT成为了中压和高压(>200 V )应用的主要器件,包括供暖通风与空气调节(HVAC)系统以及电焊和感应加热等高电流应用。随着太阳能面板、电动汽车充电器和工业伺服电机的日益普及,市场对高压解决方案的需求也在不断攀升。为了满足各个行业的需求,并进一步完善持续扩大的高压技术产品组合(GaN和SiC),Nexperia (安世半导体)正在推出多个 IGBT系列,首先便是600 V 器件。
    2023-07-21 536次
  • 为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样
  • 在高功率应用中,碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅,包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是,与硅快速恢复二极管相比,纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia(安世半导体)如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起,以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。
    2023-06-15 538次

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