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  由AspenCore主办的2022国际集成电路展览会暨研讨会(IIC)已于11月10日 - 11日在深圳顺利举办。在大会同期举办的2022全球电子成就奖(World Electronics Achievement Awards, WEAA)评选中，Nexperia(安世半导体)的适用于安全气囊的汽车ASFETs斩获年度功率半导体/驱动器大奖(Power Semiconductor / Driver of the year)。Nexperia(安世半导体)MOSFET 业务集团大中华区总监李东岳代表安世半导体领奖。

  奖项介绍

  全球电子成就奖 (World Electronics Achievement Awards) 旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者，对获奖公司以及个人来说，全球电子成就奖的获得是一项崇高的荣誉，是跻身全球电子行业顶级品牌企业圈强有力的“背书”，是与其他品牌企业达成合作的支持力量。各类奖项获得提名的企业、管理者及产品均为行业领先者，充分体现了其在业界的领先地位与不凡表现。

  获奖产品

  Nexperia(安世半导体)于2022年5月推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET (ASFET) 新产品组合，采用了新型增强安全工作区 (SOA) 技术。该技术专为提供出色的瞬态线性模式性能(安全气囊应用中的一个关键指标)而量身定制。

  与传统 DPAK 封装相比，ASFETs 产品组合结合了最新的硅沟槽技术和 LFPAK 封装，使其能够满足最新的可靠性标准并额外节省了空间( LFPAK56 为 53%，LFPAK33 可达 84%)。

  在挑选 MOSFET 来调节安全气囊系统中引爆管的电源电压时，历来仅有较为陈旧的硅技术可供选择，例如传统的焊线 DPAK 封装。这是因为在线性模式下操作时，具有更宽单元间距的沟槽技术的安全操作区域(SOA)更大。MOSFET 必须能够处理与系统中引爆管数量成正比的电流，同时调节其电源电压足够长的时间以激活安全气囊。

  Nexperia(安世半导体)设计了一系列专用 MOSFETs (ASFETs) 来满足安全气囊应用的特殊需求，专注于增强 SOA 性能以改进线性模式。

  Nexperia 的高级产品营销经理 Norman Stapelberg 表示：

  其他同类产品使用的是旧 DPAK 封装，通常基于 DMOS 和第一代 Trench 技术，而这些技术正逐渐被许多晶圆制造商淘汰。此 ASFET 产品组合搭配使用最新的晶圆 Trench 技术和 LFPAK 封装，可满足最新的可靠性标准。借助最新的制造和封装技术，Nexperia(安世半导体)提高了供应链的可持续性，并能够更好地满足此类产品持续增长市场的需求。

  该产品主要面向的应用市场为12V汽车系统与安全气囊爆管电压调节器MOSFETs。