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  Nexperia(安世半导体)宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 是 Nexperia SiC MOSFET 产品组合中首批发布的产品，随后 Nexperia 将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同 RDS(on) 的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能 SiC MOSFET 的需求。

  Nexperia高级总监兼 SiC 产品部主管 Katrin Feurle 表示：Nexperia 和三菱电机希望通过这两款首发产品为市场带来真正的创新，这个市场一直渴望更多的宽禁带器件供应商。Nexperia 现可提供 SiC MOSFET 器件，这些器件在多个参数上都具有一流的性能，例如超高的 RDS(on) 温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量 SiC MOSFET 的开篇之作。毫无疑问，在未来几年里，我们将共同推动 SiC 器件性能的发展。

  三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理 Toru Iwagami 表示：

  我们很高兴与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET，这也是我们合作推出的首批产品。三菱电机在SiC功率半导体方面积累了丰富的专业知识，我们的器件实现了多方面特性的出色平衡。

  RDS(on) 会影响传导功率损耗，是 SiC MOSFET 的关键性能参数。Nexperia 认为这是目前市场上许多 SiC 器件性能的限制因素。但是通过创新工艺技术，Nexperia 的首款 SiC MOSFET 实现了业界领先的温度稳定性，在 25℃ 至 175℃ 的工作温度范围内，RDS(on) 的标称值仅增加 38%。这与市场上其他许多目前可用的 SiC 器件不同。

  Nexperia SiC MOSFET的总栅极电荷(QG)非常低，由此可实现更低的栅极驱动损耗。此外，Nexperia 通过平衡栅极电荷，使QGD与QGS比率非常低，这一特性又进一步提高了器件对寄生导通的抗扰度。

  除了正温度系数外，Nexperia SiC MOSFET 的 VGS(th) 阈值电压器件间分布差异极低，这使得器件并联工作时，在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。此外，较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。

  Nexperia 未来还计划推出车规级 MOSFET。NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 现已投入大批量生产。