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  基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布对其丰富的齐纳二极管产品组合进行两项优化，以消除不良的过冲和噪声行为，这在齐纳技术领域是重大进步。

  首先，Nexperia安世半导体新型50 µA齐纳系列二极管推出B-selection (Vz +/-2%)，Vz范围从1.8 V到51 V，提供标准版和汽车版。这使得它们非常适合汽车应用，例如电动汽车(EV)的车载充电器，以及广泛的工业和消费应用，例如通用计算单元、电池管理系统、设备充电器和智能手表。

  Nexperia的全新50 µA器件系列目前即使在高电压(高达75 V)下也能提供完整的齐纳功能。它们的设计旨在完全消除噪声和过冲现象，这是过去许多齐纳二极管导致应用故障的共同特征。这些器件采用小尺寸封装，包括SOT23、SOD323、SOD523和SOD123F以及带或不带侧边可湿焊盘(SWF)的DFN1006BD-2和DFN1006-2。附带SWF具有显著的优势，包括对焊点质量进行高度可靠的自动光学检测(AOI)以及增强焊点坚固性，与没有SWF的器件相比，增强了与PCB的结合。

  此外，Nexperia还解决了其现有通用PZU齐纳二极管系列中的过冲和噪音问题。这将为工程师提供更大的灵活性，用于诸如电源电压稳定、传感器或电源电压比较等应用，以及为MOSFET提供栅极和雪崩击穿保护。PZU系列提供SOD323、SOD323F、SOT23、DFN1006BD-2和DFN1006-2 (2.4 V-51 V)封装，包括汽车版本和标准版本。这为设计人员提供了一种可行的替代方案，适用于需要更灵敏的齐纳二极管“拐点”的关键应用，或标准齐纳二极管可能出现噪声和过冲行为的应用。