安世半导体再获功率器件行业大奖！

2023-03-22 723次

由世纪电源主办的第十三届亚洲电源技术发展论坛在已于2月25日在深圳成功落下帷幕。在论坛同期举办的 2022 电源行业配套品牌颁奖晚会评选中，Nexperia（安世半导体）凭借高效率、高可靠性 GaN（氮化镓）器件在市场的不俗表现与强大的国际竞争力，突出重围，成功斩获「国际功率器件行业卓越奖」大奖。

奖项介绍：2022 年度电源行业配套品牌奖项共有150家左右的企业进行申请，世纪电源网通过客观、真实、公开的评选方式，经过大众投票与专业的评委组，筛选出实力强大、具有较高市场影响力的杰出企业进行表彰，真正助力电源行业的蓬勃发展。

安世半导体助力碳中和上一篇下一篇 Microchip推出全新MPLAB® SiC电源模拟器

最新文章

安世半导体IGBT模块赋能马达驱动应用

Nexperia(安世半导体)的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力，实现更高的电流密度和系统可靠性。

2023-10-20 597次

Nexperia安世半导体2035年碳中和目标

Nexperia致力于到2035年在其直接运营排放(范围1)和为运营采购能源而产生的间接排放(范围2)方面实现碳中和。这一变革性承诺需要借助可靠的来源向100%可再生能源过渡，为全球所有的公司运营和工厂提供电力。Nexperia全面的可持续发展计划不仅致力于减少范围1和范围2的排放，而且最终将力求未来消除范围3的排放，范围3的排放代表公司全球价值链产生的间接排放。

2023-09-22 816次

碳化硅二极管优于硅二极管的8大原因

SiC的介电击穿场强比硅基器件高出约10倍，且在给定的截止电压下，SiC的漂移层比硅基器件更薄且掺杂浓度更高，因此SiC的电阻率更低，传导性能也更好。这意味着，在额定电压相同的情况下，SiC芯片比其等效的硅芯片更小。

2023-08-02 681次

安世半导体IGBTs高功率带来更多选择

绝缘栅双极性晶体管(IGBT)面市已有些时日，事实上，通用电气(GE)早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起，IGBT成为了中压和高压(>200 V )应用的主要器件，包括供暖通风与空气调节(HVAC)系统以及电焊和感应加热等高电流应用。随着太阳能面板、电动汽车充电器和工业伺服电机的日益普及，市场对高压解决方案的需求也在不断攀升。为了满足各个行业的需求，并进一步完善持续扩大的高压技术产品组合(GaN和SiC)，Nexperia (安世半导体)正在推出多个 IGBT系列，首先便是600 V 器件。

2023-07-21 570次

为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样

在高功率应用中，碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia(安世半导体)如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。

2023-06-15 578次

更多资讯

热门资讯

万联芯微信公众号

元器件现货+BOM配单+PCBA制造平台

关注公众号，优惠活动早知道！

* 我的问题/建议：
* 联系电话：
上传图片（选填）：	请您提交2M以内的jpg,gif,png格式文件
投诉订单号（选填）：

h1_key

万联芯微信公众号

4000-306-326