h1_key

  高性能

  美光232层NAND具有璀璨业界的NAND输入/输出(I/O)速度(每秒2.4GB)，可满足低延迟和高吞吐量的需求，适用于人工智能、非结构化数据库、实时分析与云计算等数据密集型工作负载。

  数据密度

  美光232层高密度NAND便于客户进行灵活设计，实现了每平方毫米高达14.6Gb的TLC密度。面密度比当今市场上的TLC竞品高35%到100%。

  无处不在的应用

  更大的存储容量—增加堆叠层数以提高存储容量至每裸片1Tb，每封装2TB—从智能边缘到云计算，美光232层 NAND为更多设备提供更大存储，以帮助实现更智能，功能更强大的设备。

  为新一波端到端技术创新浪潮奠定基础

  从大规模数据中心到小型设备，NAND能够满足不断发展的对高性能、即时响应存储的需求。美光下一代232层NAND拓展了其NAND技术优势，能够提供更快、更高容量的存储解决方案。

  扩展技术边界：

  NAND堆叠层数提升至232层

  2020年，美光发布了️176层3DNAND，确立成为NAND技术领域前沿厂商。如今凭借下一代232层NAND技术实现应用与进入市场，我们进一步巩固了自身的技术优势。