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美光DDR5内存现已配合第四代AMD EPYC处理器平台出货
2022-11-24 1181次


 MICRON(镁光)近日宣布出货适用于数据中心,已通过AMD全新EPYC™(霄龙)9004系列Cpu验证的DDR5内存。随着现代服务器配置更多的核心处理CPU,其单个CPU核心的内存带宽正在下降。为了缓解这一瓶颈,美光DDR5提供比前几代商品更高的带宽,从而提高稳定性和可扩展性。第四代。AMDEPYCCpu与美光DDR5强强联手,使内存带宽在STREAM基准测试翻倍,在特定的高性能计算中翻倍(HPC)性能在工作负荷中提高2倍,如计算流体力学(OpenFOAM),天气研究与预报(WRF)建模和CP2K分子动力学。

  美光高级副总裁兼计算及网络事业部总经理 Raj Hazra 表示:“美光不断推动行业转型DDR5市场。今天的算法越来越依赖于内存,它们需要更高的内存性能和可靠性来洞察大量的数据。DDR大大提高了支持这些算法所需的系统内存能力,进而不断提高下一代数据中心基础设施的价值。”

  AMD EPYC 产品管理企业副总裁 Ram Peddibhotla 表示:“第四代 AMD EPYC 处理器不仅能持续提高现代数据中心工作负载的性能标准,同时还能提供卓越的能效。它将改变客户运营数据中心的模式 —— 加快价值实现的时间,降低总体拥有成本,帮助企业实现可持续发展目标。”

  在 STREAM 基准性能测试中,美光将第四代AMD EPYC 处理器系统搭配美光 DDR5(4800 MT/s)组合与第三代 AMD EPYC 处理器系统和美光 DDR4(3200 MT/s)组合进行了对比。在第四代 AMD EPYC 处理器系统加持下,美光 DDR5 实现了每插槽 378 GB/s 的峰值内存带宽,而搭配第三代 AMD EPYC 处理器系统的 DDR4 峰值内存带宽仅为 189 GB/s。测试显示系统内存带宽提升了两倍。

  美光携手 AMD 评估了第三代 AMD EPYC 处理器搭配美光 DDR4 组合对比第四代 AMD EPYC 处理器搭配美光 DDR5 组合在三种高性能计算工作负载(OpenFOAM、WRF和CP2K)中的表现。第四代 AMD EPYC 处理器平台搭配美光 DDR5 组合将 OpenFOAM 性能提高了 2.4 倍,WRF 性能提高了 2.1 倍,CP2K 性能提高了 2.03 倍。

  联想基础设施解决方案集团高性能计算与人工智能业务副总裁ScottTease表示:“随着高性能计算和人工智能中建模和模拟以及机器学习负荷的持续增长,客户要求内存解决方案可以最大限度地提高有效带宽。在整个开发验证阶段,我们与美光密切合作,致力于满足性能密集型工作负荷的需要。DDR加快内存性能进入新时代,帮助我们交付下一代平台。”

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