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  BOURNS伯恩斯宣布首款 650 V – 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 正式上市。 SiC SBD系列提供六款型号，旨在提供出色的载流和散热能力以及高功率密度，从而提高性能和可靠性。这些功能使 Bourns® SiC SBD 成为最佳的高效电源转换解决方案，适用于日益增长、需要满足减小尺寸和降低系统成本要求的各项高频应用。Bourns® BSD 系列 SiC SBD 提供的功能可使电信/服务器开关模式电源 (SMPS)、光伏逆变器、PC 电源和电机驱动器等应用受益。

  为了满足不断提高功率效率的设计需求，Bourns® SiC SBD 具有低正向电压 (VF) 及高导热性，不仅提高效率，同时降低功耗，满足 650 V 和 1200 V 解决方案的应用要求。Bourns® SiC SBD 亦没有反向恢复电流，可降低 EMI，从而使这些 SiC SBD 能够显著降低能量损耗。除了提供 650 V 至 1200 V 工作电压和 6-10 A 范围内的电流外，Bourns 的六款新型 BSD 宽带隙二极管还为设计人员提供了各种正向电压、电流和封装选项，包括 TO220-2、TO247-3 、TO252 和 DFN8x8。

  Bourns® 六款全新 BSD 系列碳化硅肖特基势垒二极管现已上市，全系列均符合 RoHS* 标准且为无卤**、无铅产品，其环氧灌封胶具有阻燃性，符合 UL 94V-0 标准。