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  高精度双向电流检测器，可以精确测量汽车高侧和低侧电流，符合汽车规格的 ZXCT199Q 电流检测器系列由单级仪表放大器组成，设计用在宽广共模电压范围内准确测量非常小的感应电压。其产品应用包括汽车马达控制、充电及电池充电设备 (BCE) 应用中负载/电轨电流的电流检测。

  ZXCT199Q 系列的低补偿电压具有零点漂移 (zero-drift) 架构，使其能在分流电阻器两端实现最大压降的电流感测，达到低至 10mV 满刻度，从而允许使用小值感测电阻器监测大电流。

  ZXCT199Q 系列工作电源范围介于 2.7V 至 26V 之间，最大供电电流为 100μA，共模电压不受其供电电压影响。

  所有版本均已通过 AEC-Q100 grade 1 认证，支持 -40°C 至 +125°C 温度范围，并采用非常小的行业标准 SOT363 封装。

  使用低值感测电阻器时，补偿电压低至 80µV，可将误差降至最低

  增益误差低至 0.8% 可在温度和共模 (Common-Mode) 电压范围内保持准确的增益控制

-0.1 至 26V 宽广共模电压范围可准确测量高侧和低侧电流，包括短路负载

  产品封装：SOT363

  符合汽车规格的比率 (Ratiometric) 线性霍尔效应传感器

  AH49FQ是一款符合 AEC-Q100 grade 2规范及汽车规格的比率线性霍尔效应传感器，支持 -40°C 至 +105°C 的环境温度。

  装置的供电范围介于 3V 至 8V 之间，最大磁场感应范围为 ±800G，适合许多汽车产品应用。

  AH49FQ 通过低噪声输出提供了改良的温度稳定性与准确性，无需额外的外部滤波组件。

  AH49FQ 对人体模型 (HBM) 的 ESD 额定值为 3kV，对充电装置模型 (CDM) 的 ESD 额定值为 2kV，提高了耐用性。

  低功率线性霍尔传感器：在 VCC=5V 时提供 3mA 供电电流以提高能源效率

  操作电压范围为 3V 至 8V

±19% 的 2.1mV/G 高灵敏度

  产品封装：SC59

  采用 TO247-4 封装的碳化硅萧特基 (SiC) 1200V MOSFET 有助于提高功率密度

  DMWS120H100SM4 是一款 1200V、符合工业标准的 N 通道 MOSFET，是首款以采用 TO247-4 封装的碳化硅 (SiC) 芯片材料发布的产品。

  它可以让工业马达驱动器、光伏能源系统、DC-DC 转换器，还有数据中心和电信中心，能够以高功率密度和高效率的方式使用电源。

  这款装置的低 RDS(ON)，加上 15V 闸极驱动时 52nC 的低 Qg，可提高系统设计人员的工作效率，同时确保维持最低功耗。

  低 RDS(ON) 与 Qg 将导通和切换损耗降至最低

  低至 0.6°C/W 的 RthJC ，让汲极电流最高可达 37.2A

额外的凯氏感测 (Kelvin-sensing) 接脚

  产品封装：TO247-4

  650V 及 1200V 碳化硅萧特基势垒二极管 (SiC SBD) 提高了高功率系统的效率

  我们的宽能隙 (wide-bandgap) 碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD) 共有两个系列：

  o DSCxxA065 系列，额定电压/电流为 650V 4A 至 10A

  o DSCxx120 系列，额定电压/电流为 1200V 2A 至 10A

  两个系列均适合用于高效的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 转换产品应用，包括光伏逆变器、不断电系统、工业马达驱动，以及需要进行功率因子校正 (PFC) 的脱机产品应用。

  这些 SiC 装置与一般硅基快速恢复整流器不同，由于低电容电荷 (Qc) 的特色，其切换损耗几乎可以忽略不计。这使得它们适用于高速切换产品应用，有利于提高功率密度及缩小解决方案总尺寸的电路设计。

  其低正向电压 (VF) 可将传导损耗降至最低，进一步提升整体功率效率。该装置优异的功率效率降低了冷却组件预算又提高了可靠性。

  SiC SBD 将损耗程度降至最低，提高系统功率效率并降低成本

  高切换速度提高了功率密度，缩小系统尺寸

  产品封装：表面黏着 TO252-2、通孔 TO220AC 和 ITO220AC