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Littelfuse力特宣告推出 IX4352NE 低侧 SiC MOSFET 及 IGBT 栅极驱动器
2024-05-23 97次

  Littelfuse力特宣告推出 IX4352NE 低侧 SiC MOSFET 及 IGBT 栅极驱动器。此款具有创新性的驱动器,是专门为驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET 与高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)而精心设计的。

  

 

IX4352NE低侧栅极驱动器

  

  IX4352NE 的主要优点在于其拥有独立的 9A 拉/灌电流输出,能够支持定制化的导通及关断时序,同时还能把开关损耗减至最低。其内部的负电荷调节器还可提供用户可选的负栅极驱动偏置,以达成更高的 dV/dt 抗扰度以及更快的关断速度。该驱动器的工作电压范围(VDD - VSS)高达 35V,具备出色的灵活性与性能。

IX4352NE 的一个突出特性是配置了内部负电荷泵调节器,无需外部辅助电源设备或 DC/DC 转换器。这一功能对于关闭 SiC MOSFET 尤为实用,能够节省掉外部逻辑电平转换器电路通常所需的宝贵空间。逻辑输入与标准 TTL 或 CMOS 逻辑电平相兼容,进一步增强了节省空间的能力。

 

IX4352NE 极为适合在各种工业应用中驱动 SiC MOSFET,比如:

●车载和非车载充电器

功率因数校正(PFC)

●DC/DC 转换器

●电机控制器

●以及工业电源逆变器

 

其卓越的性能使其成为电动汽车、工业、替代能源、智能家居以及楼宇自动化市场中对电力电子应用有严苛要求的理想之选。

凭借其全面的功能,IX4352NE 简化了电路设计,并提供了更高的集成度。内置的保护功能,如带有软关断灌电流驱动器的去饱和检测(DESAT)、欠压锁定(UVLO)以及热关断(TSD)等,能够确保功率器件和栅极驱动器受到保护。集成的开漏FAULT 输出向微控制器发送故障信号,增强了安全性与可靠性。此外,IX4352NE 还能够节省宝贵的 PCB 空间并提高电路密度,有助于提升整体系统效率。

对于现有 IX4351NE 的显著改进包括:

●由 DESAT 启动的安全软关断

●高阈值精度热关断

●电荷泵在热关断期间的工作能力

 

新款 IX4352NE 与引脚相互兼容,可以无缝替换指定使用现有利特福斯 IX4351NE 的设计,该设计于 2020 年发布。

IX4352NE 通过一种新型 9A 拉/灌电流驱动器拓展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列,简化了 SiC MOSFET 所需的栅极驱动电路。

 

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