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  长电科技XDFOI™ Chiplet高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段，同步实现国际客户4nm节点多芯片系统集成封装产品出货，最大封装体面积约为1500mm²的系统级封装。

  近年来，随着高性能计算、人工智能、5G、随着汽车、云等应用的蓬勃发展，芯片成品制造技术需要不断创新，以弥补摩尔定律的放缓，先进的包装技术变得越来越重要。根据市场发展的需要，长电科技Chiplet(小芯片)的高密度多维异构集成技术平台XDFOI™，利用协同设计理念实现了芯片成品集成与测试一体化，涵盖2D、2.5D、3D Chiplet集成技术。

  经过持续研发与客户产品验证，长电科技XDFOI™不断取得突破，可有效解决后摩尔时代客户芯片成品制造的痛点，通过小芯片异构集成技术，在有机重布线堆叠中介层(RDL Stack Interposer，RSI)上，放置一颗或多颗逻辑芯片(CPU/GPU等)，以及I/O Chiplet和/或高带宽内存芯片(HBM)等，形成一颗高集成度的异构封装体。一方面可将高密度fcBGA基板进行“瘦身”，将部分布线层转移至有机重布线堆叠中介层基板上，利用有机重布线堆叠中介层最小线宽线距2μm及多层再布线的优势，缩小芯片互连间距，实现更加高效、更为灵活的系统集成;另一方面，也可将部分SoC上互连转移到有机重布线堆叠中介层，从而得以实现以Chiplet为基础的架构创新，而最终达到性能和成本的双重优势。

  目前，长电科技XDFOI™技术可将有机重布线堆叠中介层厚度控制在50μm以内，微凸点(µBump)中心距为40μm，实现在更薄和更小单位面积内进行高密度的各种工艺集成，达到更高的集成度、更强的模块功能和更小的封装尺寸。同时，还可以在封装体背面进行金属沉积，在有效提高散热效率的同时，根据设计需要增强封装的电磁屏蔽能力，提升芯片成品良率。

  长电科技充分发挥XDFOI™ Chiplet高密度多维异构集成系列工艺的技术优势，已在高性能计算、人工智能、5g等方面具有技术优势、汽车电子等领域的应用为客户提供了外观更轻、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片成品制造解决方案，以满足日益增长的终端市场需求。