


| 商品名称 | 商品型号 | 品牌 | 价格 | 库存 |
| 动态随机存取存储器(DRAM) | MT41K256M16TW-107:P TR | MICRON(美国美光) | 询价 | 4000个 |
| eMMC | MTFC4GLWDM-4M AAT A | MICRON(美国美光) | 询价 | 2000个 |
| eMMC | SDINBDG4-16G-XI2 | SANDISK(闪迪) | 询价 | 3050个 |
| 动态随机存取存储器(DRAM) | MT41K128M16JT-125 IT:K TR | MICRON(美国美光) | 询价 | 2448个 |
| 动态随机存取存储器(DRAM) | MT53E1G32D2FW-046 IT:A | MICRON(美国美光) | 询价 | 2720个 |
| 动态随机存取存储器(DRAM) | K4F6E3S4HM-TFCL | SAMSUNG(三星半导体) | 询价 | 5000个 |
| NAND FLASH | MT29F8G08ABACAH4-IT:CTR | MICRON(美国美光) | 询价 | 2000个 |
| 动态随机存取存储器(DRAM) | MT47H64M16NF-25E IT:M | MICRON(美国美光) | 询价 | 4000个 |
| 压敏电阻 | FPV100505G8R0PKT | FH(风华) | 0.03884 | 80000个 |
| 脉冲变压器 | NS0013 LF | Pulse(普思电子) | 1.74000 | 15000个 |
| 共模滤波器 | P0420NLT | Pulse(普思电子) | 2.58000 | 15000个 |
| 压敏电阻 | FPV322513E260PKT | FH(风华) | 0.34493 | 62000个 |
| 压敏电阻 | FPV321611E160PKT | FH(风华) | 0.22374 | 156000个 |
| 模块化连接器 | J00-0065NL | Pulse(普思电子) | 10.80000 | 15000个 |
| 压敏电阻 | FPV160808G180PKT | FH(风华) | 0.05904 | 48000个 |
| 动态随机存取存储器(DRAM) | MT41K256M16TW-107:P TR | MICRON(美国美光) | 询价 | 4000个 |
| eMMC | MTFC4GLWDM-4M AAT A | MICRON(美国美光) | 询价 | 2000个 |
| eMMC | SDINBDG4-16G-XI2 | SANDISK(闪迪) | 询价 | 3050个 |
| 动态随机存取存储器(DRAM) | MT41K128M16JT-125 IT:K TR | MICRON(美国美光) | 询价 | 2448个 |
| 动态随机存取存储器(DRAM) | MT53E1G32D2FW-046 IT:A | MICRON(美国美光) | 询价 | 2720个 |
| 动态随机存取存储器(DRAM) | K4F6E3S4HM-TFCL | SAMSUNG(三星半导体) | 询价 | 5000个 |
| NAND FLASH | MT29F8G08ABACAH4-IT:CTR | MICRON(美国美光) | 询价 | 2000个 |
| 动态随机存取存储器(DRAM) | MT47H64M16NF-25E IT:M | MICRON(美国美光) | 询价 | 4000个 |
| 压敏电阻 | FPV100505G8R0PKT | FH(风华) | 0.03884 | 80000个 |
| 脉冲变压器 | NS0013 LF | Pulse(普思电子) | 1.74000 | 15000个 |
| 共模滤波器 | P0420NLT | Pulse(普思电子) | 2.58000 | 15000个 |
| 压敏电阻 | FPV322513E260PKT | FH(风华) | 0.34493 | 62000个 |
| 压敏电阻 | FPV321611E160PKT | FH(风华) | 0.22374 | 156000个 |
| 模块化连接器 | J00-0065NL | Pulse(普思电子) | 10.80000 | 15000个 |
| 压敏电阻 | FPV160808G180PKT | FH(风华) | 0.05904 | 48000个 |
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