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  近年来芯片特征尺寸接近物理极限，先进的包装技术已成为继续摩尔定律的有效途径。一系列新的包装技术出现在人们的视线中。而其中扇出型晶圆级封装FOWLP被寄予厚望，它将为下一代紧凑型、高性能的电子设备提供坚实而有力的支持。

  扇出型晶圆级封装技术无需使用中介层或硅通孔(TSV)，即可实现外形尺寸更小芯片的封装异构集成。在嵌入每个裸片时，裸片间的空隙会有一个额外的I/O连接点，在提高I/O数量的同时，也会使得硅的利用率有所提升。在扇出型晶圆级封装技术的加持下，具有成千上万I/O点的半导体器件可通过两到五微米间隔线实现无缝连接，从而使互连密度最大化。

  工艺步骤

  从晶圆代工厂(Foundry)生产完成的晶圆(Wafer)经过测试后进入生产线类似传统封装，扇出型封装第一步也需要将来料晶圆切割成为裸晶。

  扇出型封装的主要特点是将切割后的裸晶组合成为重构晶圆，与来料晶圆相比，重构晶圆上裸晶之间的距离相对更大，因此方便构造单位面积更大，输入输出(I/O)更多的芯片成品。

  塑封、去除载片

  完成重构晶圆的贴片后，对重构晶圆进行塑封以固定和保护裸晶。然后将重构晶圆载片移除，从而将裸晶对外的输入输出接口(I/O)露出。

  制作再布线层

  为了将裸晶上的接口(I/O)引出至方便焊接的位置，在晶圆上通过金属布线工艺制作再布线层(RDL)。

  晶圆减薄

  为使芯片成品更轻薄，对晶圆进行减薄加工。

  植球

  在再布线层(RDL)所连接的金属焊盘上进行植球，方便后续芯片在印刷电路板(PCB)上的焊接。

  晶圆切割、芯片成品

  最后将重构晶圆进行切割，以得到独立的芯片。

  芯片制造工艺的发展不会停滞，长电科技在先进封测领域深耕多年，拥有深厚的技术积累和坚实的平台。无论是现在还是未来，长电科技都将精准把握市场趋势、紧扣科技脉搏，为推动芯片成品制造技术的突破与发展尽一份力量。