h1_key

说明

Microchip的SAM G53具有ARM®Cortex®-M4内核和FPU（浮点单元），可最大限度地提高数据吞吐量。这使您能够最大限度地减少活动模式的功耗，并使核心更快地进入睡眠模式，从而降低总体功耗。

该设备有16个DMA通道，有助于实现极高的吞吐量。

超低功耗、快速唤醒时间和高吞吐量的结合使SAM G53在空间和功率受限的消费者应用（如传感器集线器）中具有优势。它很快醒来，具有减少在活动模式下花费的时间所需的吞吐量，然后通过保留SRAM恢复睡眠以节省能量。

这提供了最佳性能和最长的电池寿命。它的功能一直到1.7V，包括闪存读取和写入，以及完整的ADC操作。这允许一种更灵活的电源方案，可以从电池中挤出额外的运行时间。

特性

• ARM Cortex-M4，在I/O总线上具有高达96 KB的SRAM，在高达48 MHz的频率下提供0等待状态执行
• 内存保护单元（MPU）
• DSP指令、浮点单元（FPU）、Thumb®-2指令集
• 高达512 KB的嵌入式闪存
• 高达96 KB的嵌入式SRAM
• SAM G53设备附带Flash中的工厂编程引导加载程序。
• 用于单电源操作的嵌入式电压调节器
• 上电复位（POR）和看门狗用于安全操作
• 石英或陶瓷谐振器振荡器：3至20 MHz，带时钟故障检测，32.768 kHz用于RTT或系统时钟
• 高精度8/16/24 MHz工厂微调内部RC振荡器。用于频率调整的应用程序内微调访问
• 慢时钟内部RC振荡器作为永久低功率模式设备时钟
• 设备时钟的PLL范围从48 MHz到120 MHz
• USB设备和USB OHCI的PLL范围从24 MHz到48 MHz
• 最多30个外围DMA（PDC）通道
• 256位通用备份寄存器（GPBR）16条外部中断线路
• 49引脚WLCSP，100引脚LQFP，14 x 14 mm，间距0.5 mm
• 工业（-40°C至+85°C）
• 一个带SPI模式的USART
• 2个IC间声音控制器（I2S）
• 两个UART
• 三个双线接口（TWI）模块，具有两个TWI主机和一个高速TWI从机
• 一个高达24Mbit/s的快速SPI
• 两个带捕获、波形、比较和PWM模式的三通道16位定时器/计数器（TC）
• 一个32位实时定时器（RTT）
• 多达38条可控I/O线，具有外部中断能力（边缘或电平灵敏度）、去抖动、毛刺滤波和片上串联电阻器终端。可单独编程的开漏、上拉和下拉电阻器以及同步输出
• 双向单通道脉冲密度调制（PDM）（PDM模式下最多可连接两个麦克风）
• 一个8通道ADC，分辨率高达12位，采样率高达800 kSps
• 串行线/JTAG调试端口（SWJ-DP）
• 当内核运行、停止或保持重置时，调试对系统中所有存储器和寄存器的访问，包括Cortex-M4寄存器组。
• 串行线调试端口（SW-DP）和串行线JTAG调试端口（SWJ-DP）调试访问。
• 闪存补丁和断点（FPB）单元，用于实现断点和代码补丁。
• 数据监视点和跟踪（DWT）单元，用于实现监视点、数据跟踪和系统分析。
• Instrumentation Trace Macrocell（ITM）支持printf风格的调试。
• IEEE1149.1 JTAG对所有数字引脚进行边界扫描。
• ASF Atmel软件框架−SAM软件开发框架
• 集成在带有图形用户界面的Atmel Studio IDE中，或作为GCC、IAR编译器的独立版本提供。
• DMA支持，中断处理程序驱动程序支持
• USB、TCP/IP、Wi-Fi和蓝牙、大量USB类、DHCP和Wi-Fi加密堆栈
• RTOS集成，FreeRTOS是一个核心组件

参数