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说明

HV57009是一款具有P沟道漏极开路输出的低电压串联到高电压并联转换器。该设备被设计为用作等离子体面板的驱动器。该设备有两个并行的32位移位寄存器，允许两倍于一的数据速率（它们一起计时）。还有64个锁存器和控制逻辑来执行输出的消隐。HVOUT1通过消隐逻辑连接到第一移位寄存器的第一级。在时钟的逻辑低到高转换时，数据通过移位寄存器移位。DIR引脚在连接到VSS时导致CCW移位，在连接到VDD时导致CW移位。为级联设备提供了数据输出缓冲器。该输出反映了移位寄存器（HVOUT64）最后一位的当前状态。移位寄存器的操作不受LE（锁存使能）或BL（消隐）输入的影响。当LE输入为高时，发生从移位寄存器到锁存器的数据传输。当LE为低电平时，锁存器中的数据被存储。HV570具有64个通道的输出恒流源能力。它们可以通过一个外部电阻器或电流源在0.1到2.0mA之间进行调节。

特性

• HVCMOS® technology
• 5.0V CMOS Logic
• Output voltage up to -85V
• Output current source control
• 16MHz equivalent data rate
• Latched data outputs
• Forward and reverse shifting options (DIR pin)
• Diode to VDD allows efficient power recovery

参数