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Microchip微芯 LND250 产品介绍
2026-04-14
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说明
LND250是利用横向DMOS技术的高电压N沟道耗尽模式（常通）晶体管。该门具有ESD保护功能。LND250是常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等领域高压应用的理想选择。
特性
- Free from secondary breakdown
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- High input impedance and low CISS
- ESD gate protection
参数
类型 | 描述 |
BVdsx min (V) | 500 |
RDS (Ohms) | 1000 |
Vgs(off) min (V) | -1.0 |
Vgs(off) max (V) | -3.0 |
Package | SOT-23 |
