h1_key

说明

LND01是一种低阈值耗尽模式（常通）晶体管，利用先进的横向DMOS结构和久经考验的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特性，不存在热失控和热引发的二次击穿。晶体管的主体连接到栅极引脚。因此，通道被闸门和阀体夹断。栅极引脚将具有连接到漏极端子的二极管和连接到源极端子的另一个二极管。

特性

• Bi-directional
• Low on-resistance
• Low input capacitance
• Fast switching speeds
• High input impedance and high gain
• Low power drive requirement
• Ease of paralleling

参数