Microchip微芯_DN2450_产品介绍

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DN2450

正在供货

500V，10欧姆，N沟道，耗尽模式，垂直DMOS FET

Microchip微芯 DN2450 产品介绍

2026-04-14 0次

说明

这些低阈值耗尽模式（常开）晶体管利用先进的垂直DMOS结构和经过充分验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特征，这些器件没有热失控和热诱导的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于广泛的开关和放大应用，其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

特性

High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage

参数

类型	描述
BVdsx min (V)	500
RDS (Ohms)	10
Vgs(off) min (V)	-1.5
Vgs(off) max (V)	-3.5
Package	DPAK, SOT-89

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