Microchip微芯_DN3525_产品介绍

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DN3525

正在供货

250V，6欧姆，N沟道，耗尽模式，垂直DMOS FET

Microchip微芯 DN3525 产品介绍

2026-04-14 0次

说明

DN3525是一种低阈值耗尽模式（常开）晶体管，采用先进的垂直DMOS结构和久经考验的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特性，不存在热失控和热引发的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的广泛开关和放大应用。

特性

High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage

参数

类型	描述
BVdsx min (V)	250
RDS (Ohms)	6
Vgs(off) min (V)	-1.5
Vgs(off) max (V)	-3.5
Package	SOT-89

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