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说明

DN2625是一种低阈值耗尽模式（常通）晶体管，利用先进的垂直DMOS结构和久经考验的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特性，不存在热失控和热引发的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的广泛开关和放大应用。DN2625DK6-G在8引线双焊盘DFN封装中包含两个MOSFET。14引脚QFN封装中的DN2625K6-G不建议用于新设计，但可以继续购买用于现有设计。

特性

• Very low gate threshold voltage
• Designed to be source-driven
• Low switching losses
• Low effective output capacitance
• Designed for inductive loads
• Well matched for low second harmonic when driven by MD2130

参数