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Microchip微芯 VN2222L 产品介绍
2026-04-14
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说明
这种增强模式（常关）晶体管利用垂直DMOS结构和硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特性，不存在热失控和热引发的二次击穿。
特性
- Free from secondary breakdown
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
- Low CISS and fast switching speeds
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- High input impedance and high gain
参数
类型 | 描述 |
BVdss min (V) | 60 |
Rds (on) max (Ohms) | 7.5 |
CISSmax (pF) | 60 |
Vgs(th) max (V) | 2.5 |
Package | TO-92 |
