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说明

2N7008是一种利用垂直DMOS结构和经过充分验证的硅栅极制造工艺的增强型（常关）晶体管。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特性，不存在热失控和热引发的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于广泛的开关和放大应用，其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

特性

• Free from secondary breakdown
• Low power drive requirement
• Ease of paralleling
• Low CISS and fast switching speeds
• Excellent thermal stability
• Integral source-drain diode
• High input impedance and high gain

参数