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说明

这种低阈值、增强模式（常关）晶体管利用了垂直DMOS结构和经过充分验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特性，不存在热失控和热引发的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于广泛的开关和放大应用，其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

特性

• Low threshold (1.6V max.)
• High input impedance
• Low input capacitance (125pF max.)
• Fast switching speeds
• Low on-resistance
• Free from secondary breakdown
• Low input and output leakage

参数