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说明

Microchip的新M6技术已被开发出来，为太空和军事应用的密封功率MOSFET提供了极高的可靠性和增强的辐射硬度。微芯片Rad硬MOSFET具有低RDS（导通）和低总栅极电荷的特点。该器件是为总剂量和单事件环境开发的。M6将在极端环境应用中发挥作用，并将在高达100千拉德总电离剂量（TID）及以上的辐射环境中保持在规范范围内，JANSR2N7589U3符合100K TID的要求，

JANSR2N7859U3（和非JANS版本MRH15N19U3SR）设备设计用于以下应用：

•直流转换器

•电机控制

•开关模式电源

特性

Low RDS(on)

Fast switching

Single-event hardened

Low gate charge

Simple drive

Ease of paralleling

Hermetically sealed

Surface-mount design

Ceramic package

ESD rating: Class 3B MIL-STD-750, TM 1020

参数