Microchip微芯_LP0701_产品介绍

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LP0701

正在供货

P沟道增强模式 LATERAL MOSFET

Microchip微芯 LP0701 产品介绍

2026-04-14 0次

说明

这些增强模式（常关）晶体管利用横向MOS结构和经过充分验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，并具有MOS器件固有的高输入阻抗和负温度系数。作为所有MOS结构的特征，这些器件没有热失控和热诱导的二次击穿。低阈值电压和低导通电阻特性非常适合手持、电池操作的应用。

特性

Ultra-low threshold
High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Freedom from secondary breakdown
Low input and output leakage

参数

类型	描述
BVdss min (V)	-16.5
Rds (on) max (Ohms)	1.5
CISSmax (pF)	250
Vgs(th) max (V)	-1.0
Package	TO-92, SOIC-8

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