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说明

TC6321源自TC6320，具有高电压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET，但采用热增强的5mm x 6mm DFN，具有更好的热传递和更高的工作范围，可达到175°C。两个MOSFET都集成了栅极到源电阻器和栅极到源齐纳二极管箝位，这是高压脉冲发生器应用所需要的。它是一种互补、高速、高电压、栅极箝位的N沟道和P沟道MOSFET对，利用了先进的垂直DMOS结构和久经考验的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特性，不存在热失控和热引发的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于广泛的开关和放大应用，其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

特性

• Derived from the TC6320
• Thermally enhanced 5mm x 6mm DFN
• Rated to175°C
• Integrated GATE-to-SOURCE resistor
• Integrated GATE-to-SOURCE Zener diode
• Low threshold
• Low on-resistance
• Low input capacitance
• Fast switching speeds
• Free from secondary breakdown
• Low input and output leakage
• Independent, electrically isolated N- and P-channels

参数