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说明

TC6215由8引脚SOIC（TG）封装中的高电压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成。两款MOSFET都集成了背靠背栅源齐纳二极管箝位，并保证RDS（ON）额定值低至4.0V栅极驱动，使其能够直接用标准5.0V CMOS逻辑驱动。这些低阈值增强模式（常关）晶体管利用先进的垂直DMOS结构和经过充分验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特征，这些器件没有热失控和热诱导的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于广泛的开关和放大应用，其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

特性

• Back to back gate-source Zener diodes
• Guaranteed RDS(ON) at 4.0V gate drive
• Low threshold
• Low on-resistance
• Independent N- and P-channels
• Electrically isolated N- and P-channels
• Low input capacitance
• Fast switching speeds
• Free from secondary breakdowns
• Low input and output leakage

参数