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说明

TC8220由12引脚DFN封装中的两对高电压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成。所有MOSFET都集成了高电压脉冲发生器应用所需的栅极到源极电阻器和栅极到源齐纳二极管箝位器。互补、高速、高压、栅极箝位的N和P沟道MOSFET对利用了先进的垂直DMOS结构和经过充分验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特征，这些器件没有热失控和热诱导的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于广泛的开关和放大应用，其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入和输出电容以及快速开关速度。

特性

• High voltage Vertical DMOS technology
• Integrated gate-to-source resistor
• Integrated gate-to-source Zener diode
• Low threshold, Low on-resistance
• Low input & output capacitance
• Fast switching speeds
• Electrically isolated N- and P-MOSFET pairs

参数