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说明

MD1812是一款高速四路MOSFET驱动器。它被设计为驱动两个N沟道和两个P沟道高压DMOS FET用于医学超声应用，但可以用于任何需要高输出电流用于电容负载的应用。MD1812的输入级是一个高速电平转换器，能够根据1.8到5.0V幅度的逻辑输入信号进行操作。自适应阈值电路用于将电平转换器阈值设置为输入逻辑0和逻辑1电平的平均值。电平转换器使用专有电路，该电路提供直流耦合和高速操作。MD1812的输出级具有独立的电源连接，使得能够独立于驱动器电源电压来选择输出信号L和H电平。例如，输入逻辑电平可以是0V和1.8V，控制逻辑可以由+5V和+5V供电，输出L和H电平可以在-5.0到+5.0V的范围内的任何地方变化。根据使用的电源电压和负载电容，输出级能够产生高达±2.0安培的峰值电流。OE引脚具有双重用途。首先，其逻辑H电平用于计算通道输入电平转换器的阈值电压电平。其次，当OE为低时，输出被禁用，A和C输出为高，B和D输出为低。这有助于对可以在外部PMOS和NMOS的栅极驱动电路中串联使用的耦合电容器进行适当的预充电。内置电平移位器提供PMOS栅极负偏置驱动。这使得用户定义的阻尼控制能够产生归零双极输出脉冲。

特性

• 6.0ns rise and fall time
• 2.0A peak output source/sink current
• 1.8 to 5.0V input CMOS compatible
• Smart logic threshold
• Low jitter design
• Quad matched channels
• Drives two N and two P-channel MOSFETs
• Outputs can swing below ground
• Built-in level translator for negative gate bias
• User-defined damping for return-to-zero application
• Low inductance quad flat no-lead package
• Thermally-enhanced package

参数