说明
MCP14E9/E10/E11器件是一系列3A双输出缓冲器/MOSFET栅极驱动器,每个输出具有单独的使能功能。作为MOSFET栅极驱动器,MCP14E9/E10/E11可以在25 ns(最大值)以下充电1800 pF的栅极电容。输入是TTL/CMOS兼容的,并在高输入电平和低输入电平之间提供300mV的滞后,这允许它从缓慢的上升和下降信号中被驱动,并提供抗噪声性。
特性
参数
类型 | 描述 |
MOSFET Driver Type | Low Side |
Configuration | Inverting |
Maximum Supply Voltage (V) | 18 |
Peak Source Output (A) | 3 |
Peak Sink Output (A) | 3 |
Source Resistance (Ω) | 4 |
Sink Resistance (Ω) | 4 |
Propagation Delay t<sub>D1</sub> (ns) | 45 |
Propagation Delay t<sub>D2</sub> (ns) | 45 |
Rise Time (t<sub>R</sub>, ns) | 14 |
Fall Time (t<sub>F</sub>, ns) | 17 |
Capacitive Load Drive | 1800 pF in 17 ns |



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