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说明
MIC5020低侧MOSFET栅极驱动器设计为在大于100kHz的频率下工作（5kHz PWM，占空比为2%至100%），是电机控制、开关电源（SMPS）和使用IGBT的应用等高速应用的理想选择。MIC5020也可以作为带有或不带有自动重试的断路器进行操作。MIC5020的最大电源电压适用于使用高达50 V的控制应用。MIC5020可以控制开关电压大于50 V的MOSFET。输入端的上升沿或下降沿会在栅极输出端产生电流源或吸收脉冲。该输出电流脉冲可以在大约175ns内导通或关断2000pF MOSFET。如有必要，MIC5020提供有限电流（<2mA）以保持输出状态。跳闸电压为50mV的过电流比较器使MIC5020非常适合与电流感应MOSFET一起使用。为了更精确的过电流控制，可以使用外部低值电阻器代替感测MOSFET。连接到CT引脚的可选外部电容器可用于将当前关闭占空比从20%控制到<1%。使用来自C的可选上拉电阻器，可以实现从20%到约75%的占空比T至VDD当感测输入跳闸时，集电极开路输出提供故障指示。MIC5020有8引脚SOIC封装。MIC502x系列的其他成员包括MIC5021高侧驱动器和具有交叉传导互锁的MIC5022半桥驱动器。
特性
参数
类型 | 描述 |
MOSFET Driver Type | Low Side |
Configuration | Non-Inverting |
Maximum Supply Voltage (V) | 50 |
Peak Source Output (A) | 0.002 |
Peak Sink Output (A) | 0.002 |
Source Resistance (Ω) | 0 |
Sink Resistance (Ω) | 0 |
Propagation Delay t<sub>D1</sub> (ns) | 400 |
Propagation Delay t<sub>D2</sub> (ns) | 900 |
Rise Time (t<sub>R</sub>, ns) | 175 |
Fall Time (t<sub>F</sub>, ns) | 175 |
Capacitive Load Drive | 400 ns / 900 ns into 1,500 pF |
