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说明
TC4421A/TC4422A是早期单输出MOSFET栅极驱动器TC4421/TC4422系列的改进版本。这些器件是能够驱动大型MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的高电流缓冲器/驱动器。TC4421A/TC4422A具有匹配的输出上升和下降时间，以及匹配的前沿和下降沿传播延迟时间。TC4421A/TC4422A器件还具有非常低的交叉导通电流，从而降低了器件的整体功耗。
这些设备基本上不受任何形式的干扰，除了直接过电压或过耗散。它们在额定功率和电压范围内的任何条件下都无法锁定。当接地端子上存在高达5 V的接地反弹时，这些零件不会受到损坏或操作不当。它们可以在不损坏或逻辑混乱的情况下接受任何极性的超过1A的感应电流，这些电流被强制返回到它们的输出中。此外，所有端子都得到充分保护，不受高达4 kV的静电放电的影响。
TC4421A/TC4422A输入可以直接由TTL或CMOS（3V到18V）驱动。此外，输入中内置了300mV的磁滞，提供了抗噪声性，并允许设备从缓慢上升或下降的波形中被驱动。TC4421A/TC4422A系列9A MOSFET栅极驱动器具有表面安装和引脚通孔封装，除了工作温度范围宽外，还适用于大多数需要高栅极/线电容驱动的应用。
特性
参数
类型 | 描述 |
MOSFET Driver Type | Low Side |
Configuration | Non-Inverting |
Maximum Supply Voltage (V) | 18 |
Peak Source Output (A) | 9 |
Peak Sink Output (A) | 9 |
Source Resistance (Ω) | 2 |
Sink Resistance (Ω) | 1.6 |
Propagation Delay t<sub>D1</sub> (ns) | 60 |
Propagation Delay t<sub>D2</sub> (ns) | 60 |
Rise Time (t<sub>R</sub>, ns) | 28 |
Fall Time (t<sub>F</sub>, ns) | 26 |
Capacitive Load Drive | 4,700 pF in 15 ns |
